被加工物的加工方法技术

提供被加工物的加工方法，在以被加工物内部的改质层为起点而分割被加工物的加工方法中使磨削屑不附着于芯片侧面。该方法包含如下步骤：从背面(Wb)侧沿着分割预定线(S)照射对于被加工物(W)具有透过性的激光光线(LB1)，形成第一改质层(M1)，该第一改质层未向上下产生龟裂，该第一改质层的下端位于比相当于芯片的完工厚度的高度位置(Z1)略微靠背面侧的位置；从背面侧沿着分割预定线照射对于被加工物具有透过性的激光光线(LB2)，在比第一改质层靠背面侧的位置形成向上下产生龟裂(Mb、Ma)的第二改质层(M2)；对被加工物的背面进行磨削而将被加工物形成至芯片的完工厚度(H1)，并且以第二改质层为起点将被加工物分割成芯片(C)。

Processing method of processed products

【技术实现步骤摘要】
被加工物的加工方法
本专利技术涉及沿着分割预定线将被加工物分割成各个芯片的加工方法。
技术介绍
在半导体器件制造工艺中，在大致圆板形状的半导体被加工物的正面上的由呈格子状排列的被称为间隔道的多条分割预定线划分出多个区域，在该划分的各区域中形成IC、LSI等电路(功能元件)。然后，通过沿着分割预定线将半导体被加工物切断而对形成有电路的区域进行分割，从而制造出各个半导体芯片。作为沿着分割预定线将该半导体被加工物切断的方法，已知包含激光加工的方法(例如，参照专利文献1)，该激光加工使用对于被加工物具有透过性的波长的脉冲激光光线，将聚光点会聚在被加工物的要分割的区域的内部而照射脉冲激光光线。使用该激光加工的被加工物的分割方法是将聚光点从被加工物的一个面侧会聚在内部，照射对于被加工物具有透过性的红外光区域的波长的脉冲激光光线，在被加工物的内部沿着分割预定线连续地形成改质层，通过沿着因形成该改质层而强度降低的分割预定线对被加工物背面进行磨削而在被加工物上产生的应力，使被加工物断裂而进行分割。专利文献1：日本特许4733934号公报<本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种被加工物的加工方法，沿着分割预定线将被加工物分割成各个芯片，该被加工物在正面上的由呈格子状形成的多条该分割预定线划分的各区域内形成有功能元件，其中，/n该被加工物的加工方法具有如下的步骤：/n第一改质层形成步骤，从该被加工物的背面侧沿着分割预定线照射对于该被加工物具有透过性的波长的激光光线，形成第一改质层，该第一改质层未向上下产生龟裂，该第一改质层的下端位于比相当于芯片的完工厚度的高度位置略微靠背面侧的位置；/n第二改质层形成步骤，从该被加工物的背面侧沿着分割预定线照射对于该被加工物具有透过性的波长的激光光线，在比通过该第一改质层形成步骤而形成的该第一改质层靠背面侧的位置形成第二改质层...

【技术特征摘要】
20180619 JP 2018-1159761.一种被加工物的加工方法，沿着分割预定线将被加工物分割成各个芯片，该被加工物在正面上的由呈格子状形成的多条该分割预定线划分的各区域内形成有功能元件，其中，
该被加工物的加工方法具有如下的步骤：
第一改质层形成步骤，从该被加工物的背面侧沿着分割预定线照射对于该被加工物具有透过性的波长的激光光线，形成第一改质层，该第一改质层未向上下产生龟裂，该第一改质层的下端位于比相当于芯片的完工厚度的高度位置略微靠背面侧的位置；
第二改质层形成步骤，从该被加工物的背面侧沿着分割预定线照射对于该被加工物具有透过性的波长的激光光线...

【专利技术属性】
技术研发人员：松冈祐哉，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本;JP