一种太阳能电池及其制作方法技术

本申请公开了一种太阳能电池制作方法，在形成具有多晶硅间隔区、极性相反的第一掺杂多晶硅区域和第二掺杂多晶硅区域的第二多晶硅层时，均采用激光加热的方式形成第一掺杂多晶硅区域和第二掺杂多晶硅区域，整个制作过程不需要对任何一层进行图案化的步骤，也不需要额外的高温处理过程，简化太阳能电池制作过程，从而提高太阳能电池的生产效率。此外，本申请还提供一种具有上述优点的太阳能电池。

A solar cell and its manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
一种太阳能电池及其制作方法
本申请涉及太阳能电池
，特别是涉及一种太阳能电池及其制作方法。
技术介绍
使用钝化接触技术的背接触太阳能电池正面无金属栅线，不仅可以避免因金属栅线的遮挡而出现的电流损耗，而且可以避免对金属栅线烧结时，金属栅线的浆料烧穿钝化层与硅衬底接触产生表面复合而导致太阳能电池的开压降低，因此，背接触太阳能电池成为研究热点。含有N型多晶硅和P型多晶硅结合的多晶硅层的背接触太阳能电池最大限度的降低了金属栅线与硅衬底接触区域的表面复合，使开压提升。在N型多晶硅和P型多晶硅之间需要存在绝缘区域，绝缘区域可以为一个沟道或经氧离子注入法提升电阻后的未掺杂的多晶硅。当绝缘区域为沟道时，在形成N型多晶硅、P型多晶硅时需要对掺杂层进行图案化处理的过程，非常复杂；当绝缘区域为提升电阻后的未掺杂的多晶硅时，需要采用离子注入法，过程中需要使用掩膜材料，以特定图案形成电阻间隔区，同样会引入额外的掩膜层和掩膜层所需的图案化步骤，此外，离子注入法还需进行高温处理过程，导致现有的背接触太阳能电池的制备过程非常复杂、繁琐，使得太阳能电池的生产效率低。因此，如何简化太阳能电池的制备工艺是本领域技术人员亟待解决的技术问题。
技术实现思路
本申请的目的是提供一种太阳能电池及其制作方法，以简化太阳能电池的制备工艺。为解决上述技术问题，本申请提供一种太阳能电池制作方法，包括：在硅衬底的正面形成扩散层；在所述硅衬底的背面形成电介质层；在所述电介质层的下表面形成多晶硅层；r>在所述多晶硅层的下表面形成第一类型掺杂层；采用激光加热方式对所述第一类型掺杂层的第一预设区域进行加热，使所述多晶硅层与所述第一预设区域对应的区域形成第一掺杂多晶硅区域，得到第一多晶硅层；去除所述第一类型掺杂层；在所述第一多晶硅层的下表面形成第二类型掺杂层，且所述第二类型掺杂层与所述第一类型掺杂层的极性相反；采用激光加热方式对所述第二类型掺杂层的第二预设区域进行加热，使所述第一多晶硅层与所述第二预设区域对应的区域形成第二掺杂多晶硅区域，得到第二多晶硅层，且所述第二多晶硅层具有位于所述第一掺杂多晶硅区域与所述第二掺杂多晶硅区域之间的多晶硅间隔区；去除所述第二类型掺杂层；在所述第二多晶硅层的下表面形成第一钝化层；在所述扩散层的上表面形成减反层；在所述第一钝化层的下表面形成金属电极。可选的，在所述多晶硅层的下表面形成第一类型掺杂层包括：采用常压化学气相淀积法、丝网印刷法、喷墨法、旋涂法中的任一种方法，在所述多晶硅层的下表面形成所述第一类型掺杂层。可选的，在硅衬底的正面形成扩散层包括：采用热扩散或者离子注入法，在所述硅衬底的正面形成所述扩散层。可选的，所述在所述硅衬底的背面形成电介质层包括：采用化学气相沉积法、高温热氧氧化法、硝酸氧化法中的任一种方法，在所述硅衬底的背面形成所述电介质层。可选的，在硅衬底的背面形成多晶硅层之前，还包括：对所述硅衬底进行制绒。可选的，在所述扩散层的上表面形成减反层之前，还包括：在所述扩散层的上表面形成第二钝化层；相应的，在所述扩散层的上表面形成减反层包括：在所述第二钝化层的上表面形成所述减反层。本申请还提供一种太阳能电池，包括：硅衬底；位于所述硅衬底背面的电介质层；位于所述电介质层下表面的第二多晶硅层，且所述第二多晶硅层包括第一掺杂多晶硅区域、第二掺杂多晶硅区域、位于所述第一掺杂多晶硅区域与所述第二掺杂多晶硅区域之间的多晶硅间隔区，其中，所述第一掺杂多晶硅区域与所述第二掺杂多晶硅区域的极性相反，且所述第一掺杂多晶硅区域和所述第二掺杂多晶硅区域均由激光加热方式得到；位于所述第二多晶硅层的下表面的第一钝化层；位于所述第一钝化层的下表面的金属电极；位于所述硅衬底的正面的扩散层；位于所述扩散层的上表面的减反层。可选的，所述电介质层为下述任一种：二氧化硅电介质层、氮化硅电介质层、氧化铝电介质层、氧化铪电介质层。可选的，所述电介质层的厚度取值范围为1纳米至4纳米，包括端点值。可选的，还包括：位于所述扩散层与所述减反层之间的第二钝化层。本申请所提供的太阳能电池制作方法，包括在硅衬底的正面形成扩散层；在所述硅衬底的背面形成电介质层；在所述电介质层的下表面形成多晶硅层；在所述多晶硅层的下表面形成第一类型掺杂层；采用激光加热方式对所述第一类型掺杂层的第一预设区域进行加热，使所述多晶硅层与所述第一预设区域对应的区域形成第一掺杂多晶硅区域，得到第一多晶硅层；去除所述第一类型掺杂层；在所述第一多晶硅层的下表面形成第二类型掺杂层，且所述第二类型掺杂层与所述第一类型掺杂层的极性相反；采用激光加热方式对所述第二类型掺杂层的第二预设区域进行加热，使所述第一多晶硅层与所述第二预设区域对应的区域形成第二掺杂多晶硅区域，得到第二多晶硅层，且所述第二多晶硅层具有位于所述第一掺杂多晶硅区域与所述第二掺杂多晶硅区域之间的多晶硅间隔区；去除所述第二类型掺杂层；在所述第二多晶硅层的下表面形成第一钝化层；在所述扩散层的上表面形成减反层；在所述第一钝化层的下表面形成金属电极。可见，本申请中的太阳能电池制作方法在形成具有多晶硅间隔区、极性相反的第一掺杂多晶硅区域和第二掺杂多晶硅区域的第二多晶硅层时，均采用激光加热的方式形成第一掺杂多晶硅区域和第二掺杂多晶硅区域，整个制作过程不需要对任何一层进行图案化的步骤，也不需要额外的高温处理过程，简化太阳能电池制作过程，从而提高太阳能电池的生产效率。此外，本申请还提供一种具有上述优点的太阳能电池。附图说明为了更清楚的说明本申请实施例或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本申请实施例所提供的一种太阳能电池制作方法的流程图；图2至图11为本申请实施例所提供的一种太阳能电池制作方法的工艺流程图；图12为本申请实施例所提供的一种太阳能电池制作方法的流程图；图13为本申请实施例所提供的一种太阳能电池的结构示意图；图14为本申请实施例所提供的另一种太阳能电池的结构示意图。具体实施方式为了使本
的人员更好地理解本申请方案，下面结合附图和具体实施方式对本申请作进一步的详细说明。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术，但是本专利技术还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种太阳能电池制作方法，其特征在于，包括：/n在硅衬底的正面形成扩散层；/n在所述硅衬底的背面形成电介质层；/n在所述电介质层的下表面形成多晶硅层；/n在所述多晶硅层的下表面形成第一类型掺杂层；/n采用激光加热方式对所述第一类型掺杂层的第一预设区域进行加热，使所述多晶硅层与所述第一预设区域对应的区域形成第一掺杂多晶硅区域，得到第一多晶硅层；/n去除所述第一类型掺杂层；/n在所述第一多晶硅层的下表面形成第二类型掺杂层，且所述第二类型掺杂层与所述第一类型掺杂层的极性相反；/n采用激光加热方式对所述第二类型掺杂层的第二预设区域进行加热，使所述第一多晶硅层与所述第二预设区域对应的区域形成第二掺杂多晶硅区域，得到第二多晶硅层，且所述第二多晶硅层具有位于所述第一掺杂多晶硅区域与所述第二掺杂多晶硅区域之间的多晶硅间隔区；/n去除所述第二类型掺杂层；/n在所述第二多晶硅层的下表面形成第一钝化层；/n在所述扩散层的上表面形成减反层；/n在所述第一钝化层的下表面形成金属电极。/n

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池制作方法，其特征在于，包括：
在硅衬底的正面形成扩散层；
在所述硅衬底的背面形成电介质层；
在所述电介质层的下表面形成多晶硅层；
在所述多晶硅层的下表面形成第一类型掺杂层；
采用激光加热方式对所述第一类型掺杂层的第一预设区域进行加热，使所述多晶硅层与所述第一预设区域对应的区域形成第一掺杂多晶硅区域，得到第一多晶硅层；
去除所述第一类型掺杂层；
在所述第一多晶硅层的下表面形成第二类型掺杂层，且所述第二类型掺杂层与所述第一类型掺杂层的极性相反；
采用激光加热方式对所述第二类型掺杂层的第二预设区域进行加热，使所述第一多晶硅层与所述第二预设区域对应的区域形成第二掺杂多晶硅区域，得到第二多晶硅层，且所述第二多晶硅层具有位于所述第一掺杂多晶硅区域与所述第二掺杂多晶硅区域之间的多晶硅间隔区；
去除所述第二类型掺杂层；
在所述第二多晶硅层的下表面形成第一钝化层；
在所述扩散层的上表面形成减反层；
在所述第一钝化层的下表面形成金属电极。


2.如权利要求1所述的太阳能电池制作方法，其特征在于，在所述多晶硅层的下表面形成第一类型掺杂层包括：
采用常压化学气相淀积法、丝网印刷法、喷墨法、旋涂法中的任一种方法，在所述多晶硅层的下表面形成所述第一类型掺杂层。


3.如权利要求1所述的太阳能电池制作方法，其特征在于，在硅衬底的正面形成扩散层包括：
采用热扩散或者离子注入法，在所述硅衬底的正面形成所述扩散层。


4.如权利要求1所述的太阳能电池制作方法，其特征在于，所述在所述硅衬底的背面形成电介质层包括：
采用化学气相沉积法、高温热氧氧化法、硝酸氧化...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐孟雷，杨洁，张昕宇，金浩，
申请(专利权)人：浙江晶科能源有限公司，晶科能源有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33