晶片的加工方法技术

提供晶片的加工方法，能够降低分割晶片所需的外力，抑制加工不良的产生。该晶片的加工方法将晶片沿着分割预定线分割成多个芯片，其中，包含如下的步骤：保护通道形成步骤，将具有对于晶片来说为透过性的波长的脉冲激光束的聚光点定位在晶片的内部而照射脉冲激光束，沿着分割预定线形成由细孔和围绕细孔的非晶质区域构成的保护通道；以及晶片分割步骤，对晶片赋予外力，沿着分割预定线对形成有保护通道的晶片进行分割，脉冲激光束具有沿着与分割预定线平行的方向的两个以上的聚光点，聚光点间的距离小于3μm。

【技术实现步骤摘要】
晶片的加工方法
本专利技术涉及在沿着分割预定线对晶片进行分割时使用的晶片的加工方法。
技术介绍
在半导体器件芯片的制造工序中，形成在由分割预定线划分的区域中具有IC、LSI等器件的半导体晶片。通过沿着分割预定线对该半导体晶片进行分割，得到分别具有器件的多个半导体器件芯片。同样，通过对形成有LED等光器件的光器件晶片进行分割而制造出光器件芯片。在以上述半导体晶片、光器件晶片等为代表的晶片的分割中，例如使用对晶片照射激光束的激光加工装置。在专利文献1中公开了通过激光束的照射而在晶片的内部形成改质层的方法。由于形成有改质层的区域比晶片的其他区域脆，所以当对该晶片赋予外力时，以改质层为起点对晶片进行分割。在使用上述方法对例如厚度为300μm左右的晶片进行分割的情况下，为了通过外力的赋予而适当地对晶片进行分割，在晶片的内部重叠地形成多层改质层。因此，需要沿着一条分割预定线进行多次激光束的扫描，晶片的加工效率降低。因此，提出了如下的方法：通过照射透过晶片的波长的激光束，在晶片上形成被称为保护通道(shieldtunnel)的细丝状的区域(例如，参照专利文献2)。该保护通道由沿着晶片的厚度方向的细孔和围绕该细孔的非晶质区域构成。由于形成有保护通道的区域比晶片的其他区域脆，所以保护通道作为晶片的分割起点发挥功能。为了形成上述保护通道，只要沿着分割预定线扫描一次激光束即可，由此，在晶片的厚度方向的整个范围内形成保护通道。因此，与前述的形成改质层的方法相比，能够简化激光束的照射工序。专利文献1：日本特开2002-192370号公报专利文献2：日本特开2014-168790号公报在沿着晶片的分割预定线形成了保护通道之后，当对晶片赋予外力时，晶片以保护通道为起点而被分割。但是，当以保护通道为分割起点的情况下，存在如下的问题：在晶片的分割中需要赋予比较大的外力。当对晶片赋予较大的外力时，在晶片的分割时容易产生崩边、裂纹等加工不良，芯片的生产率下降。
技术实现思路
本专利技术是鉴于该问题而完成的，其目的在于提供晶片的加工方法，能够降低分割晶片所需的外力，抑制加工不良的产生。根据本专利技术的一个方式，提供晶片的加工方法，将晶片沿着分割预定线分割成多个芯片，其中，该晶片的加工方法包含如下的步骤：保护通道形成步骤，将具有对于该晶片来说为透过性的波长的脉冲激光束的聚光点定位在该晶片的内部而照射该脉冲激光束，沿着该分割预定线形成由细孔和围绕该细孔的非晶质区域构成的保护通道；以及晶片分割步骤，对该晶片赋予外力，沿着该分割预定线对形成有该保护通道的该晶片进行分割，该脉冲激光束具有沿着与该分割预定线平行的方向的两个以上的该聚光点，该聚光点间的距离小于3μm。另外，根据本专利技术的一个方式，提供晶片的加工方法，将晶片沿着分割预定线分割成多个芯片，其中，该晶片的加工方法包含如下的步骤：保护通道形成步骤，将具有对于该晶片来说为透过性的波长的脉冲激光束的聚光点定位在该晶片的内部而照射该脉冲激光束，沿着该分割预定线形成由细孔和围绕该细孔的非晶质区域构成的保护通道；以及晶片分割步骤，对该晶片赋予外力，沿着该分割预定线对形成有该保护通道的该晶片进行分割，该脉冲激光束具有椭圆形的束斑，该椭圆形具有沿着与该分割预定线平行的方向的长轴。另外，在本专利技术的一个方式中，该脉冲激光束也可以被衍射光学元件分支。本专利技术的一个方式的晶片的加工方法通过沿着分割预定线照射具有两个以上的聚光点的脉冲激光束或具有椭圆形的束斑的脉冲激光束而在晶片上形成保护通道。由此，能够降低分割晶片所需的外力，抑制加工不良的产生。附图说明图1是示出晶片的立体图。图2是示出框架单元的立体图。图3是示出激光加工装置的立体图。图4是示出光学系统的示意图。图5是示出光学系统的示意图。图6的(A)是示出对晶片照射脉冲激光束的情形的局部剖视侧视图，图6的(B)是示出在晶片上形成保护通道的情形的局部剖视侧视图，图6的(C)是示意性示出保护通道的立体图。图7是示出聚光点间的距离与分割强度的关系的曲线图。图8是示出延迟时间与分割强度的关系的曲线图。标号说明11：晶片；11a：正面；11b：背面；13：分割预定线；15：器件；17：带；19：环状框架；19a：开口；21：框架单元；31：保护通道；33：细孔；35：非晶质区域；2：激光加工装置；4：卡盘工作台；6：激光加工单元；8：拍摄单元；10：光学系统；12：激光振荡器；14：反射镜；16：衍射光学元件；18：聚光透镜；20：光学系统；22：激光振荡器；24：λ/2板；26：偏振分束器；28：λ/4板；30：反射镜；32：反射镜；34：反射镜；36：λ/2板；38：反射镜；40：偏振分束器；42：反射镜；44：反射镜；46：反射镜；48：反射镜；50：透镜；52：透镜；54：反射镜；56：物镜；60：脉冲激光束；60a、60b：聚光点。具体实施方式以下，参照附图对本专利技术的实施方式进行说明。首先，对能够通过本实施方式的晶片的加工方法进行加工的晶片的结构例进行说明。图1是示出晶片11的立体图。晶片11形成为圆盘状，具有正面11a和背面11b。晶片11被以互相交叉的方式呈格子状排列的多条分割预定线(间隔道)13划分成多个区域，在该多个区域的正面11a侧分别形成有由IC、LSI等构成的器件15。通过沿着分割预定线13对晶片11进行分割，得到分别包含器件15的多个芯片。另外，对于晶片11的材质、形状、构造、大小等没有限制。例如晶片11可以由半导体(硅、GaAs、InP、GaN、SiC等)、玻璃、陶瓷、树脂、金属等材料形成。另外，对于器件15的种类、数量、形状、构造、大小、配置等也没有限制。通过利用环状框架对晶片11进行支承而构成框架单元。图2是示出框架单元21的立体图。如图2所示，晶片11的背面11b侧粘贴在圆形的带17的中央部，其中，该带17由树脂等材料制成，直径比晶片11大。另外，带17的外周部粘贴于在中央部具有圆形的开口19a的环状框架19上。由此，构成具有借助带17而支承于环状框架19的晶片11的框架单元21。在本实施方式中，通过沿着分割预定线13照射激光束而在晶片11上形成分割起点。该分割起点是在后面的工序中对晶片11赋予了外力时成为对晶片11进行分割的起点(开端)的区域。对晶片11的激光束的照射使用激光加工装置来进行。图3是示出激光加工装置2的立体图。激光加工装置2具有：卡盘工作台4，其对晶片11进行保持；以及激光加工单元6，其对卡盘工作台4所保持的晶片11照射激光束。卡盘工作台4隔着带17而对晶片11进行吸引保持。具体来说，卡盘工作台4的上表面构成对晶片11进行保持的保持面，该保持面通过形成于卡盘工作台4的内部的吸引路(未图示)而与吸引源(未图示)连接。在卡盘工作台4的周围设置有对环状框架19进行把持而固定的多个夹具(未图示)。另外，卡盘工作台4与设本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶片的加工方法，将晶片沿着分割预定线分割成多个芯片，其特征在于，该晶片的加工方法包含如下的步骤：/n保护通道形成步骤，将具有对于该晶片来说为透过性的波长的脉冲激光束的聚光点定位在该晶片的内部而照射该脉冲激光束，沿着该分割预定线形成由细孔和围绕该细孔的非晶质区域构成的保护通道；以及/n晶片分割步骤，对该晶片赋予外力，沿着该分割预定线对形成有该保护通道的该晶片进行分割，/n该脉冲激光束具有沿着与该分割预定线平行的方向的两个以上的该聚光点，/n该聚光点间的距离小于3μm。/n

【技术特征摘要】
20180627 JP 2018-1218251.一种晶片的加工方法，将晶片沿着分割预定线分割成多个芯片，其特征在于，该晶片的加工方法包含如下的步骤：
保护通道形成步骤，将具有对于该晶片来说为透过性的波长的脉冲激光束的聚光点定位在该晶片的内部而照射该脉冲激光束，沿着该分割预定线形成由细孔和围绕该细孔的非晶质区域构成的保护通道；以及
晶片分割步骤，对该晶片赋予外力，沿着该分割预定线对形成有该保护通道的该晶片进行分割，
该脉冲激光束具有沿着与该分割预定线平行的方向的两个以上的该聚光点，
该聚光点间的距离小于3μm。

【专利技术属性】
技术研发人员：武田昇，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本;JP