【技术实现步骤摘要】
晶圆键合方法及装置
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种晶圆键合方法及装置。
技术介绍
经过半个世纪的高速发展，微电子技术和依托于微电子技术的信息技术已经对人类社会的发展产生了革命性的影响。然而，当今必须面对的问题是：传统晶体管的物理极限不断逼近，更小尺寸的制造技术越来越困难，集成电路的功耗不断增大，晶圆厂的投资迅速攀升。在这种情况下，如何继续保持微电子技术以摩尔定律所描述的速度持续发展，已经成为今天整个行业都在努力解决的问题。三维集成电路的出现，为半导体和微电子技术的持续发展提供了一个新的技术解决方案。所谓三维集成电路，广义上是将具有集成电路的晶圆经过键合工艺形成键合晶圆，通过穿透晶圆的三维结构互连实现多层之间的信号连接。三维集成电路能够实现更小的芯片面积、更短的芯片间互连、更高的数据传输带宽以及不同工艺技术的异质集成，从而大幅度降低芯片功耗，减小延时，提高性能，扩展功能，并为实现复杂功能的片上系统(SOC)提供可能。在三维集成工艺中，晶圆与晶圆间的键合工艺是核心技术之一，如图1所示，在键合过程中...
【技术保护点】
1.一种晶圆键合方法，其特征在于，包括：/n将第一晶圆和第二晶圆进行键合以形成键合晶圆；/n对所述键合晶圆进行空洞缺陷检测，并判断出所述键合晶圆中的空洞缺陷是否符合控制要求；/n当所述键合晶圆中的空洞缺陷不符合控制要求时，对所述键合晶圆进行返工，当所述键合晶圆中的空洞缺陷符合控制要求时，对所述键合晶圆进行退火处理。/n
【技术特征摘要】
1.一种晶圆键合方法，其特征在于，包括：
将第一晶圆和第二晶圆进行键合以形成键合晶圆；
对所述键合晶圆进行空洞缺陷检测，并判断出所述键合晶圆中的空洞缺陷是否符合控制要求；
当所述键合晶圆中的空洞缺陷不符合控制要求时，对所述键合晶圆进行返工，当所述键合晶圆中的空洞缺陷符合控制要求时，对所述键合晶圆进行退火处理。
2.如权利要求1所述的晶圆键合方法，其特征在于，当所述空洞缺陷的最大宽度大于10毫米时，所述空洞缺陷不符合控制要求；反之，当所述空洞缺陷的最大宽度小于或等于10毫米时，所述空洞缺陷符合控制要求。
3.如权利要求1或2所述的晶圆键合方法，其特征在于，对所述键合晶圆进行空洞缺陷检测的步骤包括：
利用红外单色光照射所述键合晶圆，所述红外单色光穿过所述键合晶圆形成检测光；
利用图像传感器接收所述检测光并得到检测图像，根据所述检测图像判断出所述键合晶圆中的空洞缺陷是否符合控制要求。
4.如权利要求3所述的晶圆键合方法，其特征在于，当所述键合晶圆中存在空洞缺陷时，所述检测图像中具有牛顿环，所述空洞缺陷在所述键合晶圆中的尺寸和位置分别与所述牛顿环在所述检测图像中的尺寸和位置对应。
5.如权利要求4所述的晶圆键合方法，其特征在于，根据所述牛顿环的直径以及预设转换关系...
【专利技术属性】
技术研发人员：张银，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。