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本发明提供了一种晶圆键合方法及装置，包括将第一晶圆和第二晶圆进行键合以形成键合晶圆；对所述键合晶圆进行空洞缺陷扫描，并判断出所述键合晶圆中的空洞缺陷是否符合控制要求；空洞缺陷符合控制要求的键合晶圆进行退火处理，而空洞缺陷不符合控制要求的键合...
该专利属于武汉新芯集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路制造有限公司授权不得商用。

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