半导体器件制造技术

提供一种半导体器件，所述半导体器件包括：衬底，所述衬底包括第一区域至第三区域；第一晶体管，所述第一晶体管具有第一导电类型，并且设置在所述衬底的所述第一区域上且包括第一沟道层，其中所述第一沟道层包括第一材料；第二晶体管，所述第二晶体管具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型，并且设置在所述衬底的第二区域上且包括第二沟道层，其中所述第二沟道层包括所述第一材料；以及第三晶体管，所述第三晶体管具有所述第二导电类型，并且设置在所述衬底的所述第三区域上且包括第三沟道层，其中所述第三沟道层包括与所述第一材料不同的第二材料。

semiconductor device

【技术实现步骤摘要】
半导体器件相关申请的交叉引用本申请要求于2018年8月13日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0094209的优先权，其公开内容通过引用整体并入本文。
本专利技术构思涉及半导体器件。
技术介绍
随着半导体器件继续高度集成以具有高性能和高可靠性，通常需要半导体器件进一步小型化。为了使半导体器件小型化，需要一种用于在单个半导体器件中集成多个电子元件(例如，晶体管)的技术。因此，半导体器件可以包括在P型金属氧化物半导体(PMOS)区域中形成的一个或更多个PMOS晶体管，以及在N型金属氧化物半导体(NMOS)区域中形成的一个或更多个NMOS晶体管。具有相同导电类型的两个或更多个晶体管可以分为高性能晶体管和普通晶体管。例如，PMOS晶体管可以分为高性能PMOS晶体管或普通PMOS晶体管。高性能晶体管通常是指其中导通时的驱动电流大于普通晶体管的驱动电流的晶体管。为了在小型化工艺期间增强半导体器件的性能，需要用于在单个半导体器件中形成高性能晶体管和普通晶体管两者的技术。
技术实现思路
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【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：/n衬底，所述衬底包括第一区域、第二区域和第三区域；/n第一晶体管，所述第一晶体管具有第一导电类型，设置在所述衬底的所述第一区域上且包括第一沟道层，其中所述第一沟道层包括第一材料；/n第二晶体管，所述第二晶体管具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型，设置在所述衬底的所述第二区域上且包括第二沟道层，其中所述第二沟道层包括所述第一材料；以及/n第三晶体管，所述第三晶体管具有所述第二导电类型，设置在所述衬底的所述第三区域上且包括第三沟道层，其中所述第三沟道层包括与所述第一材料不同的第二材料。/n

【技术特征摘要】
20180813 KR 10-2018-00942091.一种半导体器件，包括：
衬底，所述衬底包括第一区域、第二区域和第三区域；
第一晶体管，所述第一晶体管具有第一导电类型，设置在所述衬底的所述第一区域上且包括第一沟道层，其中所述第一沟道层包括第一材料；
第二晶体管，所述第二晶体管具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型，设置在所述衬底的所述第二区域上且包括第二沟道层，其中所述第二沟道层包括所述第一材料；以及
第三晶体管，所述第三晶体管具有所述第二导电类型，设置在所述衬底的所述第三区域上且包括第三沟道层，其中所述第三沟道层包括与所述第一材料不同的第二材料。


2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二晶体管还包括：
第一源极/漏极，所述第一源极/漏极设置在所述第二沟道层的两侧中的每一侧上，以及
第一缓冲层，所述第一缓冲层设置在所述第一源极/漏极与所述第二沟道层之间。


3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，
所述第一源极/漏极包括具有第一锗浓度的锗，并且
所述第一缓冲层包括具有低于所述第一锗浓度的第二锗浓度的锗。


4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述衬底还包括第四区域，并且
所述半导体器件还包括第四晶体管，所述第四晶体管具有第一导电类型，设置在所述衬底的所述第四区域上且包括第四沟道层，所述第四沟道层包括与所述第一材料和所述第二材料不同的第三材料。


5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述第一材料包括硅，所述第二材料包括硅锗，所述第三材料包括碳化硅。


6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述衬底包括第一杂质区和第二杂质区，所述第一杂质区中第一杂质的浓度低于第一浓度，所述第二杂质区中所述第一杂质的浓度等于或大于所述第一浓度。


7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述衬底还包括第三杂质区，所述第三杂质区设置为与所述第二杂质区间隔开，并且所述第三杂质区中所述第一杂质的浓度等于或大于所述第一浓度。


8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一沟道层包括第四杂质区和第五杂质区，所述第四杂质区中第一杂质的浓度低于第二浓度，所述第五杂质区中所述第一杂质的浓度等于或大于所述第二浓度，并且
所述第二沟道层包括第六杂质区和第七杂质区，所述第六杂质区中第二杂质的浓度低于第三浓度，所述第七杂质区中所述第二杂质的浓度等于或大于所述第三浓度。


9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一晶体管至所述第三晶体管是鳍型晶体管。


10.一种半导体器件，所述半导体器件包括：
第一源极，所述第一源极具有第一导电类型；
第一漏极，所述第一漏极具有所述第一导电类型并且与所述第一源极间隔开；
第一沟道层，所述第一沟道层设置在所述第一源极与所述第一漏极之间并且包括第一材料；
第一栅极结构，所述第一栅极结构在所述第一沟道层上；
第二源极，所述第二源极具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型；
第二漏极，所述第二漏极具有所述第二导电类型并且与所述第二源极间隔开；
第二沟道层，所述第二沟道层设置在所述第二源极与所述第二漏极之间，并且包括与所述第一材料不同的第二材料；
第二栅极结构，所述第二栅极结构在所述第二沟道层上；
第三源极，所述第三源极具有所述第二导电类型；
第三漏极，所述第三漏极具有所述第二导电类型并且与所述第三源极间隔开；
第三沟道层，所述第三沟道层设置在所述第三源极与所述第三漏极之间，并且包括与所述第一材料和所述第二材料不同的第三材料；以及
第三栅极结构，所述第三栅极结构在所述第三沟道层上。

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【专利技术属性】
技术研发人员：金承权，益冈有里，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR