半导体元件制造技术

本揭露是关于一种半导体元件及制造方法，且更特定而言关于具有鳍式结构的半导体元件，鳍式结构具有不同顶表面晶体取向及/或不同材料。本揭露提供一种包括N型鳍式场效晶体管元件及P型鳍式场效晶体管元件的半导体结构，其具有不同顶表面晶体取向及具有不同材料的鳍式结构。本揭露提供一种制造包括N型鳍式场效晶体管元件及P型鳍式场效晶体管元件的半导体结构的方法，N型鳍式场效晶体管元件及P型鳍式场效晶体管元件具有不同顶表面晶体取向及不同材料，用以实现最佳电子传输及空穴传输。本揭露亦提供一种二极管结构及在鳍式结构中包括硅锗的双极接面晶体管结构。

Semiconductor element

【技术实现步骤摘要】
半导体元件
本专利技术涉及一种半导体元件。
技术介绍
半导体集成电路(integratedcircuit；IC)行业已经经历了指数级增长。IC材料及设计的技术进步已经生产了数代IC，其中每一代都具有比上一代更小及更复杂的电路系统。在IC进化的过程中，几何尺寸(例如，使用制造制程可制造的最小元件或线路)减小的同时，功能密度(例如，单位晶片面积的互连元件的数目)一般增加。这种按缩小过程大体通过提高生产效率及降低关联成本而提供益处。
技术实现思路
本揭露的一实施例包括一种半导体元件。半导体元件包括基板、第一鳍式结构以及第二鳍式结构。第一鳍式结构包括具有第一顶表面晶体取向的第一材料。第二鳍式结构包括具有第二顶表面晶体取向的第二材料。第二材料不同于第一材料及第二晶体取向不同于第一顶表面晶体取向。附图说明当结合附图阅读时，根据以下详细描述可更好地理解本揭露的态样。应注意，根据工业常规实践，各种特征未按比例绘制。事实上，为说明及论述清楚，各特征的尺寸可以任意地增加或缩小。图1根据一些实施例为FinFET的部本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体元件，其特征在于，包括：/n一基板；/n一第一鳍式结构，包括具有一第一顶表面晶体取向的一第一材料；以及/n一第二鳍式结构，包括具有一第二顶表面晶体取向的一第二材料；/n其中该第二材料不同于该第一材料及该第二晶体取向不同于该第一顶表面晶体取向。/n

【技术特征摘要】
20180731 US 62/712,766;20190530 US 16/426,6601.一种半导体元件，其特征在于，包括：
...

【专利技术属性】
技术研发人员：江国诚，王志豪，蔡庆威，程冠伦，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71