具有漏极有源区域的半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及具有漏极有源区域的半导体装置。一种半导体装置包括晶体管的漏极区、直接处于漏极区下方的漏极有源区域、直接处于隔离结构下方的漂移区域以及直接处于晶体管的栅极结构下方的积聚区域。半导体装置包括第一导电类型的、第一浓度的第一选择性掺杂植入物区，第一选择性掺杂植入物区延伸到第一深度。第一选择性掺杂植入物区位于漂移区域、漏极有源区域和积聚区域中。半导体装置包括第一导电类型的、第二浓度的第二选择性掺杂植入物区，第二选择性掺杂植入物区延伸到小于第一深度的第二深度。第二浓度小于第一浓度。第二选择性掺杂植入物区位于漏极有源区域中，但不在积聚区域中。第二选择性掺杂植入物区占据第一掺杂区不占据的漏极有源区域的侧向部分。

Semiconductor device with drain active region

【技术实现步骤摘要】
具有漏极有源区域的半导体装置
本专利技术总体上涉及一种具有漏极有源区域的半导体装置。
技术介绍
一些晶体管(如LDMOS晶体管)通常包括处于漏极区与沟道区之间的、在漏极区与沟道区之间的表面隔离结构下面的漂移区。图1是集成电路101的局部剖切侧视图，所述集成电路101包括具有共享N型漏极区121的两个晶体管103和105。晶体管103包括N型源极区117、N型源极扩展部119和栅极结构107。晶体管105包括N型源极区125、N型源极扩展部123和栅极结构109。集成电路101包括P型外延层147，所述P型外延层147形成于位于N型衬底层151上的掩埋绝缘体层149上。位于层147中的是P阱137和139、N区141以及N区143和145。集成电路101还包括P型体接触区115和127。集成电路101还包括隔离环153以及隔离结构129、131、133和135。
技术实现思路
根据本专利技术的第一方面，提供一种半导体装置，包括：栅极结构，所述栅极结构位于晶体管的衬底上方；所述晶体管的所述衬底中的第一导电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：/n栅极结构，所述栅极结构位于晶体管的衬底上方；/n所述晶体管的所述衬底中的第一导电类型的源极区；/n所述晶体管的所述衬底中的第一导电类型的漏极区；/n所述晶体管的所述衬底中的第二导电类型的沟道区，所述第二导电类型与所述第一导电类型是相对的；/n隔离结构，所述隔离结构直接侧向地处于所述漏极区与所述沟道区之间；/n其中所述衬底包括直接处于所述漏极区下方的漏极有源区域、直接处于所述隔离结构下方的漂移区域、以及直接处于所述栅极结构下方且包括直接侧向地位于所述隔离结构与所述沟道区之间的一部分的积聚区域；/n其中所述衬底包括所述第一导电类型的、第一掺杂物浓度的第一选...

【技术特征摘要】
20180725 US 16/044,9541.一种半导体装置，其特征在于，包括：
栅极结构，所述栅极结构位于晶体管的衬底上方；
所述晶体管的所述衬底中的第一导电类型的源极区；
所述晶体管的所述衬底中的第一导电类型的漏极区；
所述晶体管的所述衬底中的第二导电类型的沟道区，所述第二导电类型与所述第一导电类型是相对的；
隔离结构，所述隔离结构直接侧向地处于所述漏极区与所述沟道区之间；
其中所述衬底包括直接处于所述漏极区下方的漏极有源区域、直接处于所述隔离结构下方的漂移区域、以及直接处于所述栅极结构下方且包括直接侧向地位于所述隔离结构与所述沟道区之间的一部分的积聚区域；
其中所述衬底包括所述第一导电类型的、第一掺杂物浓度的第一选择性掺杂植入物区，所述第一选择性掺杂植入物区延伸到第一深度，所述第一选择性掺杂植入物区位于所述漂移区域、所述漏极有源区域和所述积聚区域中；
其中所述衬底包括所述第一导电类型的、第二浓度的第二选择性掺杂植入物区，所述第二选择性掺杂植入物区延伸到小于所述第一深度的第二深度，所述第二浓度小于所述第一浓度，所述第二选择性掺杂植入物区位于所述漏极有源区域中，但不在所述积聚区域中，其中所述第二选择性掺杂植入物区占据所述第一选择性掺杂植入物区不占据的所述漏极有源区域的侧向部分。


2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述晶体管被表征为LDMOS晶体管。


3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一导电类型是P导电类型，并且所述第二导电类型是N导电类型。


4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一选择性掺杂植入物区和所述第二选择性掺杂植入物区位于所述第一导电类型的外延层中，其中所述外延层具有低于所述第二浓度的所述第一导电类型的掺杂浓度。


5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第二选择性掺杂植入物区位于所述漂移区域中。


6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述衬底包括所述第二导电类型的掩埋掺杂区，所述掩埋掺杂区直接处于所述第一选择性掺杂植入物区和所述第二选择性掺杂植入物区下方。


7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，进一步包括：
第二栅极结构，所述第二栅极结构位于第二晶体管的所述衬底上方；
所述第二晶体管的所述衬底中的所述第一导电类型的第二源极区；
所述第二晶体管的所述衬底中的所述第二导电类型的第二沟道区；
第二隔离结构，所述第二隔离结构直接侧向地处于所述漏极区与所述第二沟道区之间；
其中所述漏极区被表征为所述晶体管和所述第二晶体管的共享漏极区；
其中所述衬底包括直接处于所述第二隔离结构下方的第二漂移区域和直接处于所述第二栅极结构下方的第二积聚区域，所述第二积聚区域包括直接侧向地处于所述第二隔离结构与所述第二沟道区之间的一部分；
其中所述衬底包括所述第一导电类型的、所述第一浓度的第三选择性掺杂植入物区，所述第三选择性掺杂植入物区延伸到所述第一深度，所述第三选择性掺杂植入物区位于所述第二漂移区域、所述漏极有源区域和所述第二积聚区域中并且与所述漏极有源区域中的所述第一选择性掺杂植入物区侧向分离；
其中所述第二选择性掺杂植入物区占据所述第一选择性掺杂植入物区和所述第三选择性掺杂植入物区不占据的所述漏极有源区域的侧向部分。

【专利技术属性】
技术研发人员：林欣，S·R·梅霍特拉，祝荣华，
申请(专利权)人：恩智浦美国有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US