【技术实现步骤摘要】
半导体器件相关申请的交叉引用将于2018年7月23日在韩国知识产权局递交的题为“半导体器件”的韩国专利申请No.10-2018-0085259的全部公开内容通过引用并入本文。
示例实施例涉及一种半导体器件。更具体地，示例实施例涉及包括晶体管和接触插塞在内的半导体器件。
技术介绍
半导体器件可以包括晶体管。半导体器件还可以包括与晶体管的栅极区和有源区电连接的接触插塞。
技术实现思路
根据示例实施例，提供了一种半导体器件。半导体器件可以包括多个栅极、多个第一接触插塞、第二接触插塞和绝缘间隔物。沿第一方向延伸的栅极可以形成在衬底上，并且每个栅极可以包括栅极绝缘层、栅电极和第一间隔物。第一接触插塞可以与栅极之间的衬底相接触，并且第一接触插塞可以与栅极的侧壁间隔开。第二接触插塞可以与第一接触插塞之间的栅电极的上表面相接触。绝缘间隔物可以设置在第一接触插塞和第二接触插塞之间的间隙中，并且绝缘间隔物可以与第一接触插塞和第二接触插塞的侧壁相接触。第一接触插塞和第二接触插塞的上表面可以基本上彼此共面。
【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：/n多个栅极，在衬底上沿第一方向延伸，所述多个栅极中的每个栅极包括栅极绝缘层、栅电极和第一间隔物；/n多个第一接触插塞，在所述多个栅极中的相邻的栅极之间与所述衬底相接触，所述多个第一接触插塞与所述多个栅极中的相应栅极的侧壁间隔开；/n第二接触插塞，与相应栅电极的上表面相接触，所述第二接触插塞位于所述多个第一接触插塞中的第一接触插塞之间；以及/n绝缘间隔物，在所述第二接触插塞与所述多个第一接触插塞中的相邻第一接触插塞之间的间隙中，所述绝缘间隔物与所述第二接触插塞和所述多个第一接触插塞中的所述相邻第一接触插塞的侧壁相接触，并且所述第二接触插塞和所述相邻...
【技术特征摘要】
20180723 KR 10-2018-00852591.一种半导体器件，包括：
多个栅极，在衬底上沿第一方向延伸，所述多个栅极中的每个栅极包括栅极绝缘层、栅电极和第一间隔物；
多个第一接触插塞，在所述多个栅极中的相邻的栅极之间与所述衬底相接触，所述多个第一接触插塞与所述多个栅极中的相应栅极的侧壁间隔开；
第二接触插塞，与相应栅电极的上表面相接触，所述第二接触插塞位于所述多个第一接触插塞中的第一接触插塞之间；以及
绝缘间隔物，在所述第二接触插塞与所述多个第一接触插塞中的相邻第一接触插塞之间的间隙中，所述绝缘间隔物与所述第二接触插塞和所述多个第一接触插塞中的所述相邻第一接触插塞的侧壁相接触，并且所述第二接触插塞和所述相邻第一接触插塞的上表面彼此共面。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一接触插塞在第一方向上的长度大于所述第二接触插塞在第一方向上的长度。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：绝缘结构，覆盖所述多个栅极中的每个栅极的上表面，所述绝缘结构包括衬层图案和绝缘图案。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述绝缘结构的上表面与所述第二接触插塞和所述相邻第一接触插塞的上表面共面。
5.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述衬层图案是具有凹槽的U形形状，并且所述绝缘图案填充所述凹槽。
6.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述衬层图案包括与所述绝缘间隔物的材料相同的材料，所述衬层图案和所述绝缘间隔物彼此相连。
7.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述衬层图案和所述绝缘间隔物包括氮化硅。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括在所述多个栅极之间的第一绝缘间层，所述第一绝缘间层在所述多个第一接触插塞中的相应第一接触插塞的侧壁上，并且所述第一绝缘间层与所述多个栅极的侧壁间隔开。
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述绝缘间隔物在第二方向上的宽度大于所述相邻第一接触插塞与所述多个栅极中的相邻栅极之间的间隙在第二方向上的宽度，其中所述第二方向垂直于所述第一方向。
10.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：空气通道，在所述绝缘间隔物下方并沿第一方向延伸，所述空气通道在所述相邻第一接触插塞与所述多个栅极中的相邻栅极之间，并且所述空气通道填充有空气。
11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述绝缘间隔物延伸到所述衬底的表面，所述绝缘间隔物填充所述相邻第一接触插塞与所述多个栅极中的相邻栅极之间的间隙。
12.一种半导体器件，包括：
多个栅极，在衬底上沿第一方向延伸，所述多个栅极中的每个栅极包括栅极绝缘层、栅电极和第一间隔物；
多个第一接触插塞，在所述多个栅极中的相邻的栅极之间与所述衬底相接触，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：李相炫，康诚右，裴根熙，安学润，吴省翰，吴怜默，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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