【技术实现步骤摘要】
基于垂直PIN二极管双向限幅电路及制作方法
本专利技术属于半导体领域，具体涉及一种基于垂直PIN二极管双向限幅电路及制作方法。
技术介绍
雷达接收机的前端往往有高灵敏的低噪声放大器，而低噪声放大器是小功率信号线性器件，它接受的信号是非常微弱的，但是整个系统又必须能够承受较大的功率。为了保护器件免遭烧毁，通常在噪声放大器前端加入微波限幅器。小功率信号输入时，限幅器仅仅呈现小损耗，大功率信号输入时，限幅器对其进行大幅度衰减。目前国内外主要采用GaAsMESFET限幅器、GaAs肖特基势垒限幅器等，但是砷化镓二代半导体材料无法满足更高频率、更高功率电子器件的需求，且肖特基势垒限幅器在同等面积下承受大功率信号冲击的能力不够强，缺点较为显著。
技术实现思路
为了解决现有技术中存在的上述问题，本专利技术提供了一种基于垂直PIN二极管双向限幅电路及制作方法。本专利技术要解决的技术问题通过以下技术方案实现：本专利技术实施例提供了一种基于垂直PIN二极管双向限幅电路的制作方法，所述双向限幅电路在包含衬底层、...
【技术保护点】
1.一种基于垂直PIN二极管双向限幅电路的制作方法，其特征在于，所述双向限幅电路在包含衬底层(101)、成核层(102)、GaN缓冲层(103)和AlGaN势垒层(104)的样片上制作而成，包括步骤：/nS1、刻蚀所述AlGaN势垒层(104)，在所述GaN缓冲层(103)上形成正向PIN二极管制作区域(105)和反向PIN二极管制作区域(106)；/nS2、在刻蚀后的所述AlGaN势垒层(104)上制作GaN基高频器件；/nS3、在所述正向PIN二极管制作区域(105)制作正向PIN二极管；/nS4、在所述反向PIN二极管制作区域(106)制作反向PIN二极管；/nS5、...
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种基于垂直PIN二极管双向限幅电路的制作方法，其特征在于，所述双向限幅电路在包含衬底层(101)、成核层(102)、GaN缓冲层(103)和AlGaN势垒层(104)的样片上制作而成，包括步骤：
S1、刻蚀所述AlGaN势垒层(104)，在所述GaN缓冲层(103)上形成正向PIN二极管制作区域(105)和反向PIN二极管制作区域(106)；
S2、在刻蚀后的所述AlGaN势垒层(104)上制作GaN基高频器件；
S3、在所述正向PIN二极管制作区域(105)制作正向PIN二极管；
S4、在所述反向PIN二极管制作区域(106)制作反向PIN二极管；
S5、在所述GaN基高频器件、所述正向PIN二极管和所述反向PIN二极管上制作互联层(502)，得到双向限幅电路。
2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，步骤S2包括：
S201、在刻蚀后的所述AlGaN势垒层上制作源电极(201)和漏电极(202)，形成源电极欧姆接触与漏电极欧姆接触；
S202、刻蚀所述AlGaN势垒层(104)，形成有源区的电隔离(203)；
S203、在所述AlGaN势垒层(104)、所述源电极(201)和所述漏电极(202)上生长介质层材料，形成介质层(204)；
S204、刻蚀所述介质层(204)，形成凹槽结构(205)；
S205、在所述介质层(204)上光刻栅区域，在所述栅区域和所述凹槽结构(205)蒸发栅电极金属，形成栅电极(206)；
S206、在所述介质层(204)和所述栅电极(206)表面淀积第一保护层材料，形成第一保护层(207)，得到所述GaN基高频器件。
3.如权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述栅电极(206)为T形结构。
4.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，步骤S3包括：
S301、在所述正向PIN二极管制作区域(105)依次外延N+层材料、I层材料、P+层材料，分别形成正向N+层(301)、正向I层(302)、正向P+层(303)；
S302、在所述正向P+层(303)光刻正向P+电极区域，在所述正向P+电极区域蒸发电极金属，形成正向P+电极(304)；
技术研发人员：马晓华，杨凌，郭建新，郝跃，祝杰杰，周小伟，侯斌，宓珉翰，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61
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