半导体装置制造方法及图纸

一种半导体装置，包含第一金属氧化物半导体场效晶体管、剩余的栅极堆叠、绝缘结构与第二金属氧化物半导体场效晶体管。第一金属氧化物半导体场效晶体管在基板上方。第一金属氧化物半导体场效晶体管包含第一栅极堆叠、第一缓冲层与第一通道层。剩余的栅极堆叠位于第一通道层上方。剩余的栅极堆叠包含第一绝缘体、第一导电材料与多个第一间隔件。绝缘结构位于第一通道层上。绝缘结构包含第一介电质、第二介电材料与第三介电材料。第二金属氧化物半导体场效晶体管位于绝缘结构与剩余的栅极堆叠上方。第二金属氧化物半导体场效晶体管包含第二通道层与第二栅极堆叠。第二栅极堆叠设置于第二通道层上方。

Semiconductor device

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
本案是有关于一种半导体装置。
技术介绍
半导体装置用于各种电子应用，例如个人电脑、手机、数码相机以及其他电子设备。半导体装置通常通过在半导体基板上依序沉积绝缘层或介电层、导电层以及半导体层，并使用光微影技术使各种材料层图案化，以在其上形成电路零件及元件。半导体工业透过不断减小最小特征尺寸以持续改善各种电子元件(例如晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，如此一来可允许更多元件整合至特定区域中。然而，随着最小特征尺寸的减小，出现了应当解决的其他问题。
技术实现思路
根据本揭露一些实施方式，一种半导体装置包含第一金属氧化物半导体场效晶体管、剩余的栅极堆叠、绝缘结构与第二金属氧化物半导体场效晶体管。第一金属氧化物半导体场效晶体管在基板上方。第一金属氧化物半导体场效晶体管包含第一栅极堆叠、第一缓冲层与第一通道层。第一缓冲层设置于第一栅极堆叠的相对侧上。第一通道层位于第一栅极堆叠与第一缓冲层上方。剩余的栅极堆叠位于第一通道层上方。剩余的栅极堆叠包含第一绝缘体、第一导电材料与多个第一间隔件。第一绝缘体位于第一通本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，包含：/n一第一金属氧化物半导体场效晶体管，在一基板上方，其中该第一金属氧化物半导体场效晶体管包含：/n一第一栅极堆叠；/n一第一缓冲层，设置于该第一栅极堆叠的相对侧上；以及/n一第一通道层，位于该第一栅极堆叠与该第一缓冲层上方；/n一剩余的栅极堆叠，位于该第一通道层上方，其中该剩余的栅极堆叠包含：/n一第一绝缘体，位于该第一通道层上方；/n一第一导电材料，位于该第一绝缘体的上表面与下表面上；以及/n多个第一间隔件，位于与该第一绝缘体相对的多个侧壁上方；/n一绝缘结构，位于该第一通道层上，其中该绝缘结构包含：/n一第一介电质，延伸于该第一绝缘体的多个侧壁之间，其...

【技术特征摘要】
20180629 US 62/692,062;20181004 US 16/152,0101.一种半导体装置，其特征在于，包含：
一第一金属氧化物半导体场效晶体管，在一基板上方，其中该第一金属氧化物半导体场效晶体管包含：
一第一栅极堆叠；
一第一缓冲层，设置于该第一栅极堆叠的相对侧上；以及
一第一通道层，位于该第一栅极堆叠与该第一缓冲层上方；
一剩余的栅极堆叠，位于该第一通道层上方，其中该剩余的栅极堆叠包含：
一第一绝缘体，位于该第一通道层上方；
一第一导电材料，位于该第一绝缘体的上表面与下表面上；以及
多个第一间隔件，位于与该第...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄郁翔，叶泓佑，黄文宏，刘致为，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，刘致为，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71