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一种半导体装置，包含第一金属氧化物半导体场效晶体管、剩余的栅极堆叠、绝缘结构与第二金属氧化物半导体场效晶体管。第一金属氧化物半导体场效晶体管在基板上方。第一金属氧化物半导体场效晶体管包含第一栅极堆叠、第一缓冲层与第一通道层。剩余的栅极堆叠位...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司;刘致为所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司;刘致为授权不得商用。

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