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本发明涉及具有漏极有源区域的半导体装置。一种半导体装置包括晶体管的漏极区、直接处于漏极区下方的漏极有源区域、直接处于隔离结构下方的漂移区域以及直接处于晶体管的栅极结构下方的积聚区域。半导体装置包括第一导电类型的、第一浓度的第一选择性掺杂植入...
该专利属于恩智浦美国有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过恩智浦美国有限公司授权不得商用。

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