半导体装置制造方法及图纸

半导体装置包括基板、多个纳米线和栅极堆叠。纳米线位于基板上方。每个纳米线包括通道区域，通道区域具有顶表面和底表面以及在顶表面和底表面之间的第一侧壁，其中通道区域的第一侧壁具有(111)晶体方向。栅极堆叠位于纳米线的通道区域上方。

Semiconductor device

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
本公开涉及半导体装置及其制造方法。
技术介绍
电子工业经历了对更小和更快的电子装置的不断增长的需求，这些电子装置同时能够支持更多数量的日益复杂的功能。因此，半导体工业中存在制造低成本、高性能和低功率的集成电路(integratedcircuits,IC)的持续趋势。到目前为止，这些目标已经在很大程度上透过等比例缩小半导体集成电路尺寸(例如，最小特征尺寸)并由此提高生产效率和降低相关成本来实现。然而，这种等比例缩放也增加了半导体制造制程的复杂性。因此，为了实现半导体集成电路和装置的持续进步，需要半导体制造制程和技术的类似发展。
技术实现思路
根据本公开的部分实施例，提供一种半导体装置，包含：基板、多个纳米线、栅极堆叠。多个纳米线位于基板上，每个纳米线包含通道区域，通道区域具有顶表面和底表面以及位于顶表面和底表面之间的第一侧壁，其中通道区域的第一侧壁具有(111)晶体方向；栅极堆叠位于这些纳米线的通道区域上。附图说明当结合附图阅读时，从以下详细描述中可以最好地理解本公开的各方面。应注意，根据工本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，包含：/n一基板；/n多个纳米线，位于该基板上，每个所述纳米线包含一通道区域，该通道区域具有一顶表面和一底表面以及位于该顶表面和该底表面之间的一第一侧壁，其中该通道区域的该第一侧壁具有一(111)晶体方向；以及/n一栅极堆叠，位于所述多个纳米线的所述通道区域上。/n

【技术特征摘要】
20180730 US 62/712,201;20181108 US 16/184,7221.一种半导体装置，其特征在于，包含：
一基板；
...

【专利技术属性】
技术研发人员：乔治·凡利亚尼提斯，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71