具有防止反向工程的特征的半导体器件制造技术

本发明专利技术涉及具有防止反向工程的特征的半导体器件。期望设计和制造抵御现代反向工程技术的电子芯片。本文公开了一种允许设计难以使用现代拆解技术进行反向工程的芯片设计的方法和器件。所公开的器件使用具有相同几何形状但是不同电压电平的器件，以产生不同逻辑器件。可替选地，所公开的器件使用具有不同几何形状和相同运行特性的器件。也公开了一种使用这些器件设计芯片的方法。

Semiconductor devices with the characteristics of preventing reverse engineering

【技术实现步骤摘要】
具有防止反向工程的特征的半导体器件本申请是2015年4月30日提交的国际申请日为2012年12月14日的申请号为201280076808.7(PCT/US2012/069819)的，专利技术名称为“具有防止反向工程的特征的半导体器件”的专利申请的分案申请。本申请是于2011年7月29日提交的美国专利申请No.13/194,452的分案，其要求于2011年6月7日提交的美国临时专利申请No.61/494,172的权益，通过引用以其整体被并入于此。
技术介绍
期望设计一种难以进行反向工程，以保护电路设计的电子芯片。已知的反向工程技术包括拆解芯片的层以暴露逻辑器件的方法。半导体拆解技术通常包括对器件层成像、移除该层、对下一层成像、移除该层等等，直到实现半导体器件的完整表示。通常使用光学或电子显微镜实现层成像。通过使用物理手段，诸如研磨或抛光；通过借助蚀刻专用化合物的化学手段；通过使用激光或聚焦离子束技术(FIB)；或者通过能够移除层的任何其它已知方法完成层移除。图1示出通过拆解反向工程技术成像的一些半导体层和区域。一旦完成了半导体器件拆解，并且集合本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电子元件，包括：/n第一晶体管器件，所述第一晶体管器件具有第一几何形状和第一输出电压；/n第二晶体管器件，所述第二晶体管器件具有第二几何形状和第二输出电压；和/n输出端，其中，所述输出端的电平取决于所述第一输出电压和所述第二输出电压的差异；/n其中，所述第一几何形状和所述第二几何形状相同，并且当所述第一晶体管器件和所述第二晶体管器件被加载相同的电压时，所述第二输出电压与所述第一输出电压不同；/n其中，所述第一输出电压和所述第二输出电压的差异取决于制造所述第一晶体管器件和所述第二晶体管器件的材料的差异。/n

【技术特征摘要】
20121030 US 13/663,9211.一种电子元件，包括：
第一晶体管器件，所述第一晶体管器件具有第一几何形状和第一输出电压；
第二晶体管器件，所述第二晶体管器件具有第二几何形状和第二输出电压；和
输出端，其中，所述输出端的电平取决于所述第一输出电压和所述第二输出电压的差异；
其中，所述第一几何形状和所述第二几何形状相同，并且当所述第一晶体管器件和所述第二晶体管器件被加载相同的电压时，所述第二输出电压与所述第一输出电压不同；
其中，所述第一输出电压和所述第二输出电压的差异取决于制造所述第一晶体管器件和所述第二晶体管器件的材料的差异。


2.根据权利要求1所述的电子元件，其中，制造所述第一晶体管器件和所述第二晶体管器件的材料的差异具体是指，所述第一晶体管器件的扩散区域有第一掺杂水平，所述第二晶体管器件的扩散区域有第二掺杂水平，所述第一掺杂水平和所...

【专利技术属性】
技术研发人员：威廉·埃利·撒克三世，罗伯特·弗朗西斯·滕采尔，迈克尔·克林顿·霍克，
申请(专利权)人：威瑞斯蒂公司，
类型：发明
国别省市：美国;US