【技术实现步骤摘要】
电源静电防护电路、电源模块和半导体器件
本专利技术涉及一种电源模块，尤其是涉及电源模块中的电源静电防护电路。
技术介绍
半导体器件正变得更加高度集成且在越来越高的时钟速度下工作。因此，例如处理器和存储器的集成电路芯片的制造者一直缩小芯片内部电路的临界尺寸。静电有可能显著损坏包括集成电路芯片的电子装置。因而，为了保护内部电路免受静电影响，通常在集成电路芯片的输入或输出路径内设置保护器件，并通过ESD(静电放电)测试来测试各种类型的集成电路。然而发现，仅仅在芯片的输入或输出路径内设置保护器件并不足以保护各种芯片不受静电放电影响。例如，发现在芯片存在外部电源和内部电源的情况下，ESD测试下会出现内部电源域内部电路失效的情况。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种电源静电防护电路，可以改善内部电源域内部电路失效的情况。本专利技术为解决上述技术问题而采用的技术方案是提供一种电源静电防护电路，适于具有外部电源端和内部电源端的电源模块，所述外部电源端连接所述内部电源端，所述电源静...
【技术保护点】
1.一种电源静电防护电路，适于具有外部电源端和内部电源端的电源模块，所述外部电源端连接所述内部电源端，所述电源静电防护电路包括：/n第一晶体管，包括第一端、第二端和控制端，所述第一晶体管的第一端适于连接所述内部电源端，所述第一晶体管的第二端适于连接参考节点；/n电容，适于连接在所述外部电源端和所述第一晶体管的控制端之间；以及/n第一电阻，适于连接在所述内部电源端和所述第一晶体管的控制端之间。。/n
【技术特征摘要】
1.一种电源静电防护电路，适于具有外部电源端和内部电源端的电源模块，所述外部电源端连接所述内部电源端，所述电源静电防护电路包括：
第一晶体管，包括第一端、第二端和控制端，所述第一晶体管的第一端适于连接所述内部电源端，所述第一晶体管的第二端适于连接参考节点；
电容，适于连接在所述外部电源端和所述第一晶体管的控制端之间；以及
第一电阻，适于连接在所述内部电源端和所述第一晶体管的控制端之间。。
2.如权利要求1所述的电源静电防护电路，其特征在于，所述外部电源端通过第二晶体管连接所述内部电源端。
3.如权利要求1所述的电源静电防护电路，其特征在于，所述内部电源端通过第二电阻连接所述参考节点。
4.如权利要求1所述的电源静电防护电路，其特征在于，所述第一晶体管包括RC触发沟道放电结构。
5.如权利要求1所述的电源静电防护电路，其特征在于，所述RC触发沟道放电结构的RC值在100-2000ns之间...
【专利技术属性】
技术研发人员：李志国，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42
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