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半导体装置包括基板、多个纳米线和栅极堆叠。纳米线位于基板上方。每个纳米线包括通道区域，通道区域具有顶表面和底表面以及在顶表面和底表面之间的第一侧壁，其中通道区域的第一侧壁具有(111)晶体方向。栅极堆叠位于纳米线的通道区域上方。...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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