【技术实现步骤摘要】
半导体器件本申请要求于2018年7月27日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0087911号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
本专利技术构思涉及一种半导体器件，更具体地，涉及一种包括场效应晶体管的半导体器件以及制造该半导体器件的方法。
技术介绍
半导体器件由于其小尺寸、多功能和/或低制造成本而在电子工业中是有益的。半导体器件可以包括存储逻辑数据的半导体存储器件、处理逻辑数据的操作的半导体逻辑器件以及具有存储器元件和逻辑元件两者的混合半导体器件。随着电子工业的先进发展，为了高度集成，已经研究了半导体器件及其相关技术。此外，为了高可靠性、高速度和/或多功能，已经研究了半导体器件和相关技术。
技术实现思路
本专利技术构思的一些示例实施例提供了具有增加的集成度和可靠性的半导体器件。根据本专利技术构思的一些示例实施例，半导体器件可以包括位于基底上的第一有源图案和第二有源图案。第一有源图案和第二有源图案中的每个可以在第一方向上延伸。第一有源图案和第二有源图案可...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：/n第一有源图案和第二有源图案，位于基底上，其中，第一有源图案和第二有源图案中的每个在第一方向上延伸，第一有源图案和第二有源图案分别沿第一方向对齐并且分别通过在与第一方向交叉的第二方向上延伸的第一沟槽分离，其中，第一沟槽限定第一有源图案的第一侧壁；/n沟道图案，包括顺序堆叠在第一有源图案上的第一半导体图案和第二半导体图案；/n虚设栅电极，跨过沟道图案并且在第二方向上延伸；以及/n栅极间隔件，位于虚设栅电极的一侧上，虚设栅电极的所述一侧与第一沟槽相邻，/n其中，栅极间隔件覆盖第一有源图案的第一侧壁。/n
【技术特征摘要】
20180727 KR 10-2018-00879111.一种半导体器件，所述半导体器件包括：
第一有源图案和第二有源图案，位于基底上，其中，第一有源图案和第二有源图案中的每个在第一方向上延伸，第一有源图案和第二有源图案分别沿第一方向对齐并且分别通过在与第一方向交叉的第二方向上延伸的第一沟槽分离，其中，第一沟槽限定第一有源图案的第一侧壁；
沟道图案，包括顺序堆叠在第一有源图案上的第一半导体图案和第二半导体图案；
虚设栅电极，跨过沟道图案并且在第二方向上延伸；以及
栅极间隔件，位于虚设栅电极的一侧上，虚设栅电极的所述一侧与第一沟槽相邻，
其中，栅极间隔件覆盖第一有源图案的第一侧壁。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括位于第一沟槽中的器件隔离层，
其中，栅极间隔件从虚设栅电极的所述一侧朝向器件隔离层延伸。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，器件隔离层覆盖第一有源图案的第一侧壁的下部分，并且
栅极间隔件覆盖第一有源图案的第一侧壁的上部分。
4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，第一有源图案还包括由在第一方向上延伸的第二沟槽限定的第二侧壁，并且
其中，器件隔离层进一步填充第二沟槽。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，第一沟槽还限定沟道图案的第二侧壁，沟道图案的第二侧壁与第一有源图案的第一侧壁对齐，并且
其中，栅极间隔件覆盖沟道图案的第二侧壁。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，栅极间隔件包括在虚设栅电极的所述一侧和第一有源图案的第一侧壁上延伸并具有阶梯式轮廓的部分。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，虚设栅电极包括：
第一段，位于第一半导体图案与第二半导体图案之间；以及
第二段，位于第二半导体图案上，
其中，第一段在第一方向上的宽度比第二段在第一方向上的宽度大。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括位于虚设栅电极的另一侧上并连接到沟道图案的源/漏图案，虚设栅电极的所述另一侧与虚设栅电极的所述一侧相对。
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，虚设栅电极位于第一半导体图案和第二半导体图案中的每个的顶表面、底表面和相对侧壁上。
10.一种半导体器件，所述半导体器件包括：
第一逻辑单元和第二逻辑单元，位于基底上，第一逻辑单元包括第一有源图案，第二逻辑单元包括第二有源图案，其中，第一逻辑单元和第二逻辑单元通过沟槽分离；
第一沟道图案和第二沟道图案，分别位于第一有源图案和第二有源图案上，第一沟道图案和第二沟道图案中的每个包括多个半导体图案；
虚设栅电极，与沟槽相邻；以及
栅极间隔件，位于虚设栅电极的一侧上，
其中，第一有源图案包括由沟槽限定的第一侧壁，
其中，...
【专利技术属性】
技术研发人员：金昊俊，马在亨，裴金钟，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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