【技术实现步骤摘要】
半导体器件相关申请的交叉引用本申请要求于2018年7月12日在韩国知识产权局(KIPO)提交的韩国专利申请No.10-2018-0081124的优先权，其内容通过引用整体并入本文。
示例实施例涉及半导体器件。更具体地，示例实施例涉及鳍式场效应晶体管(finFET)。
技术介绍
由于栅极结构的侧壁上的栅极隔离物的厚度逐渐减小，所以通过栅极隔离物与栅极结构绝缘的源极/漏极层可能与栅极结构电短路。因此，提供了防止电短路的方法。
技术实现思路
示例实施例提供了具有改进特征的半导体器件。根据一些方面，本公开涉及半导体器件，其包括：有源鳍，所述有源鳍通过所述有源鳍之间的凹部彼此间隔开，所述有源鳍中的每一个从衬底的上表面突出；隔离结构，其形成在所述凹部内，包括：衬垫(liner)，其在所述凹部的下部的下表面和侧壁上；以及阻挡图案，其在所述衬垫上，所述阻挡图案填充所述凹部的所述下部的剩余部分并且包括氮化物、碳化物或多晶硅；栅电极结构，其位于所述有源鳍和所述隔离结构上；以及源极/漏极层，其位于所述有...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：/n有源鳍，所述有源鳍通过所述有源鳍之间的凹部彼此间隔开，所述有源鳍中的每一个从衬底的上表面突出；/n隔离结构，其形成在所述凹部内，包括：/n衬垫，其在所述凹部的下部的下表面和侧壁上；以及/n阻挡图案，其在所述衬垫上，所述阻挡图案填充所述凹部的所述下部的剩余部分并且包括氮化物、碳化物或多晶硅；/n栅电极结构，其位于所述有源鳍和所述隔离结构上；以及/n源极/漏极层，其位于所述有源鳍中的每一个有源鳍的与所述栅电极结构相邻的部分上。/n
【技术特征摘要】
20180712 KR 10-2018-00811241.一种半导体器件，包括：
有源鳍，所述有源鳍通过所述有源鳍之间的凹部彼此间隔开，所述有源鳍中的每一个从衬底的上表面突出；
隔离结构，其形成在所述凹部内，包括：
衬垫，其在所述凹部的下部的下表面和侧壁上；以及
阻挡图案，其在所述衬垫上，所述阻挡图案填充所述凹部的所述下部的剩余部分并且包括氮化物、碳化物或多晶硅；
栅电极结构，其位于所述有源鳍和所述隔离结构上；以及
源极/漏极层，其位于所述有源鳍中的每一个有源鳍的与所述栅电极结构相邻的部分上。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，
其中，所述衬垫包括氧化物，并且
其中所述阻挡图案接触所述衬垫。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
栅极隔离物，其覆盖所述栅电极结构的侧壁，
其中，所述源极/漏极层通过所述栅极隔离物和所述隔离结构与所述栅电极结构电绝缘。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，
其中所述有源鳍中的每一个在实质上平行于所述衬底的所述上表面的第一方向上纵向延伸，以及
其中所述栅电极结构在实质上平行于所述衬底的所述上表面并且与所述第一方向相交的第二方向上纵向延伸。
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中沿所述第一方向在所述有源鳍中的每一个有源鳍的与所述栅电极结构相邻的部分上形成所述源极/漏极层。
6.根据权利要求4所述的半导体器件，其中所述衬垫的在所述栅电极结构下方的第一部分的最上表面低于所述衬垫的在所述第一方向上与所述衬垫的所述第一部分间隔开的第二部分的最上表面。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述衬垫的在所述栅电极结构下方的部分的最上表面低于所述阻挡图案的上表面。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，
其中所述有源鳍的每一个包括下有源图案和堆叠在所述下有源图案上的上有源图案，并且
其中所述隔离结构覆盖所述下有源图案的侧壁。
9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述栅电极结构形成在所述上有源图案的上表面和侧壁上并且形成在所述隔离结构的上表面上。
10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述栅电极结构包括在所述有源鳍中的每一个有源鳍的上表面上的界面图案，以及顺序地堆叠在所述界面图案和所述隔离结构上的栅极绝缘图案、功函数控制图案和栅电极。
11.一种半导体器件，包括：
有源鳍，其从衬底的上表面突出并且包括下有源图案和堆叠在所述下有源图案上的上有源图案；
隔离结构，其包括：
衬垫，其位于所述下有源图案的侧壁和所述衬底的所述上表面上；以及
阻挡图案，其在所述衬垫上，所述阻挡图案围绕所述下有源图案的所述侧壁并且包括氮化物、碳化物或多晶硅；
栅电极结构，其位于所述上有源图案和所述隔离结构上；以...
【专利技术属性】
技术研发人员：崔戍侦，卢东贤，金成洙，安圭焕，玄尚镇，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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