半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本公开的一些实施例提供一种半导体器件(semiconductor device)。所述半导体器件包含：衬底。势垒层，设置于所述衬底上。第一沟道层，设置于所述势垒层上。第一闸极导体，设置于所述第一沟道层上。第一经掺杂半导体层，设置于所述第一闸极导体和所述第一沟道层之间。所述势垒层的禁带宽度大于所述第一沟道层的禁带宽度。

Semiconductor device and manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其制造方法
本揭露系关于一种半导体器件，特别系关于互补式金属氧化物半导体(ComplementaryMetal-Oxide-Semiconductor,CMOS)器件。
技术介绍
包括直接能隙(directbandgap)半导体之组件，例如包括三五族材料或III-V族化合物(Category:III-Vcompounds)之半导体组件，由于其特性而可在多种条件或环境(例如不同电压、频率)下操作(operate)或运作(work)。上述半导体组件可包括异质界面双极晶体管(HeterojunctionBipolarTransistor,HBT)、异质界面场效晶体管(HeterojunctionFieldEffectTransistor,HFET)、高电子迁移率晶体管(High-Electron-MobilityTransistor,HEMT)，或调变掺杂场效晶体管(MOdulation-DopedFET,MODFET)等。
技术实现思路
本公开的一些实施例提供一种半导体器件(semiconductordevi本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件(semiconductor device)，包含：/n衬底；/n势垒层，设置于所述衬底上；/n第一沟道层，设置于所述势垒层上；/n第一闸极导体，设置于所述第一沟道层上；及/n第一经掺杂半导体层，设置于所述第一闸极导体和所述第一沟道层之间，/n其中所述势垒层的禁带宽度大于所述第一沟道层的禁带宽度。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件(semiconductordevice)，包含：
衬底；
势垒层，设置于所述衬底上；
第一沟道层，设置于所述势垒层上；
第一闸极导体，设置于所述第一沟道层上；及
第一经掺杂半导体层，设置于所述第一闸极导体和所述第一沟道层之间，
其中所述势垒层的禁带宽度大于所述第一沟道层的禁带宽度。


2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一经掺杂半导体层包含n型半导体材料。


3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述第一经掺杂半导体层包含n型Ga2O3和n型SiC中之一者。


4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述第一经掺杂半导体层包含n型III-V族材料。


5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中所述第一经掺杂半导体层包含n型AlN、n型GaN、n型InN、n型AlGaN、n型InGaN、n型InAlN和n型AlInGaN中之一者。


6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一经掺杂半导体层具有约(approximately)5nm至约(approximately)200nm之厚度。


7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一经掺杂半导体层具有约1017cm-3至约1021cm-3之掺杂浓度。


8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：
于所述第一沟道层中并靠近所述势垒层和所述沟道的界面形成二维空穴气(2...

【专利技术属性】
技术研发人员：郝荣晖，
申请(专利权)人：英诺赛科珠海科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44