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本公开的一些实施例提供一种半导体器件(semiconductor device)。所述半导体器件包含：衬底。势垒层，设置于所述衬底上。第一沟道层，设置于所述势垒层上。第一闸极导体，设置于所述第一沟道层上。第一经掺杂半导体层，设置于所述第一闸...
该专利属于英诺赛科(珠海)科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过英诺赛科(珠海)科技有限公司授权不得商用。

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