【技术实现步骤摘要】
晶圆结构及其制备方法
本专利技术涉及半导体器件
，具体涉及一种晶圆结构及其制备方法。
技术介绍
在制备微机电系统(MicroElectroMechanicalSystems,MEMS)器件的过程中，包括专用集成电路(ApplicationSpecificIntegratedCircuit,ASIC)晶圆的制备过程、MEMS晶圆的制备过程，以及ASIC晶圆和MEMS晶圆的封装过程，其中需要多次利用掩膜板，如何将掩膜板和器件精确对准，是MEMS器件制备过程中亟待解决的问题之一。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例致力于提供一种晶圆结构及其制备方法，以解决现有技术中MEMS器件制备过程中如何实现掩膜板的对位的问题。本专利技术一方面提供了一种晶圆结构，包括：硅衬底；多个电路模块，多个电路模块间隔排布于硅衬底的正面；其中，硅衬底上未被多个电路模块覆盖的区域设置有至少一个对位孔，至少一个对位孔从正面沿硅衬底的厚度方向延伸。在一个实施例中，硅衬底包括多个芯片区和至少一个缺位区，多个芯片区和至...
【技术保护点】
1.一种晶圆结构，其特征在于，包括：/n硅衬底；/n多个电路模块，所述多个电路模块间隔排布于所述硅衬底的正面；/n其中，所述硅衬底上未被所述多个电路模块覆盖的区域设置有至少一个对位孔，所述至少一个对位孔从所述正面沿所述硅衬底的厚度方向延伸。/n
【技术特征摘要】
1.一种晶圆结构，其特征在于，包括：
硅衬底；
多个电路模块，所述多个电路模块间隔排布于所述硅衬底的正面；
其中，所述硅衬底上未被所述多个电路模块覆盖的区域设置有至少一个对位孔，所述至少一个对位孔从所述正面沿所述硅衬底的厚度方向延伸。
2.根据权利要求1所述的晶圆结构，其特征在于，所述硅衬底包括多个芯片区和至少一个缺位区，所述多个芯片区和所述至少一个缺位区形成阵列；所述多个电路模块分别位于所述多个芯片区，所述至少一个缺位区中的每一个包括至少一个对位孔。
3.根据权利要求2所述的晶圆结构，其特征在于，所述至少一个缺位区包括两个缺位区，所述两个缺位区中的每一个包括四个对位孔，所述两个缺位区分别位于所述硅衬底的相对两端。
4.根据权利要求1所述的晶圆结构，其特征在于，所述硅衬底还设置有用于将所述多个电路模块中的每一个与外电路连接的导电孔，所述导电孔和所述至少一个对位孔在所述硅衬底中的深度相同。
5.根据权利要求4所述的晶圆结构，其特征在于，所述至少一个对位孔和所述导电孔被金属材料填充。
6.根据权利要求1至5中的任一项所述的晶圆结构，其特征在于，所述多个电路模块为多个ASIC模块，所述晶圆结构为ASIC晶圆。
7.根据权利要求6所述的晶圆结构，其特征在于，还包括：
与所述ASIC晶圆的正面键合的MEMS晶圆，其中所述ASIC晶圆和所述MEMS晶圆形成MEMS封装结构。
8.一种晶圆结构的制备方法，其特征在于，包括：
在硅衬底的正面选定间隔排布的多个芯片区；
在所述硅衬底上除了所述多个芯片区之外的区域制备从所述正面沿所述硅衬底的厚度方向延伸的至少一个对位孔；
将所述至少一个对位孔作为和第一组掩膜板对位的标记，利用所述第一组掩膜板在所述多个芯片区中的每一个上制备电路模块，以形成所述晶圆结构。
9.根据权利要求8所述的晶圆结构的制备方法，其特征在于，还包括：在所述多个芯片区中的每一个上制备用于将所述电路模块与外电路连接的导电孔。
10.根据权利要求8所述的晶圆结构的制备方法，其特征在于，所述在硅衬底的正面选定多个间隔排布的芯片区包括：
在所述硅衬底的正面选定阵列排布的多个芯片区和至少一个缺位区；
所述在所述多个芯片区中的每一个上制备用于将所述电路模块与外电路连接的导电孔包...
【专利技术属性】
技术研发人员：庄瑞芬，李刚，李哲，
申请(专利权)人：苏州敏芯微电子技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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