一种OLED显示面板及其制备方法、OLED显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种OLED显示面板及其制备方法以及一种OLED显示装置。所述OLED显示面板包括衬底基板、遮光金属层、缓冲层、驱动电路层、绝缘层、平坦化层以及发光功能层。其中，所述驱动电路层包括半导体层，所述半导体层的材料为对波长范围为380纳米至520纳米的光波照射敏感的材料；所述平坦化层的材料为在波长范围为小于520纳米的光波照射下，透过率小于10％的材料。本发明专利技术通过改变平坦化层材料的透过率特性来改善OLED显示面板的稳定性，所述平坦化层的材料具有短波段过滤功能，能使大部分的短波无法透过平坦化层，从而减少短波对所述平坦化层下方其他膜层的影响，提高OLED显示面板的信赖性。

An OLED display panel and its preparation method, OLED display device

【技术实现步骤摘要】
一种OLED显示面板及其制备方法、OLED显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种OLED显示面板及其制备方法、OLED显示装置。
技术介绍
因OLED显示面板具有超越液晶显示面板的显示特性与品质，例如轻薄化、短的反应时间、低的驱动电压、更好的显示色彩以及显示视角等优点，受到了大家广泛的关注。目前开发较多的是氧化物半导体，如IGZO(IndiumGalliumZincOxide，铟镓锌氧化物)搭配OLED器件的开发。IGZO材料由于具有高迁移率、高开态电流、低关态电流可迅速开关等特点，已成为目前薄膜晶体管
内的研究热点。但IGZO材料对短波段造成的影响比较敏感，由于IGZO的禁带宽度(约为3.4eV)与紫外(UV)光的禁带宽度(高于3.1eV)相近，IGZO对UV光有很好的吸收作用，IGZO有源层在UV光的照射下，价带电子等易吸收能量跃迁至导带，使TFT的阈值电压偏移，造成显示器显示效果不稳定，所以器件在受到短波段的照射后，会诱导有源层产生光漏电流，影响TFT的特性，甚至会造成TFT阈值电压Vth的偏移，影响TFT的正常本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种OLED显示面板，其特征在于，所述OLED显示面板划分为驱动电路区、发光区、电容区以及走线区；所述发光区和所述电容区位于所述驱动电路区和所述走线区之间，且所述发光区与所述驱动电路区相连；其中，所述OLED显示面板包括：/n衬底基板；/n遮光金属层，位于所述衬底基板上，包括第一遮光金属层和第二遮光金属层，所述第一遮光金属层和所述第二遮光金属层分别对应于所述驱动电路区和所述电容区；/n缓冲层，位于所述衬底基板上，且覆盖所述第一遮光金属层和所述第二遮光金属层；/n驱动电路层，位于所述缓冲层上，且对应于所述驱动电路区，所述驱动电路层包括半导体层，所述半导体层的材料为对波长范围为380纳米至52...

【技术特征摘要】
1.一种OLED显示面板，其特征在于，所述OLED显示面板划分为驱动电路区、发光区、电容区以及走线区；所述发光区和所述电容区位于所述驱动电路区和所述走线区之间，且所述发光区与所述驱动电路区相连；其中，所述OLED显示面板包括：
衬底基板；
遮光金属层，位于所述衬底基板上，包括第一遮光金属层和第二遮光金属层，所述第一遮光金属层和所述第二遮光金属层分别对应于所述驱动电路区和所述电容区；
缓冲层，位于所述衬底基板上，且覆盖所述第一遮光金属层和所述第二遮光金属层；
驱动电路层，位于所述缓冲层上，且对应于所述驱动电路区，所述驱动电路层包括半导体层，所述半导体层的材料为对波长范围为380纳米至520纳米的光波照射敏感的材料；
绝缘层，位于所述驱动电路层上；
平坦化层，位于所述绝缘层上；
发光功能层，位于所述平坦化层上，且对应于所述发光区；
其中，所述平坦化层的材料为在波长范围为小于520纳米的光波照射下，透过率小于10％的材料。


2.如权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述半导体层的材料为铟镓锌氧化物。


3.如权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述平坦化层的材料为聚酰亚胺。


4.如权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述驱动电路层还包括位于所述半导体层上的栅绝缘层、位于所述栅绝缘层上的栅极、位于所述栅极上的层间绝缘层、以及位于所述层间绝缘层上的源极和漏极，所述源极和所述漏极分别通过第一孔和第二孔与所述半导体层的两端相连。


5.如权利要求4所述的OLED显示面板，其特征在于，所述源级通过第三孔与所述第一遮光金属层相连。
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【专利技术属性】
技术研发人员：张良芬，徐源竣，张晓星，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44