本发明提供了一种微差压传感器、封装结构、测试方法及电子设备，其中，所述微差压传感器包括MEMS芯片，MEMS芯片包括以层叠方式设置的基底、振膜以及背极板，背极板包括相互隔离的第一电极区域和第二电极区域，第一电极区域构成第一电极，第二电极...

本技术的实施例公开了一种压力传感器，其中压力传感器包括：第一基板；第一隔离层层叠设置在第一基板上；第一隔离层中设有至少一个凹槽；力敏感体嵌设于凹槽内，力敏感体包括基底，在基底的厚度方向上，基底具有相对的第一表面和第二表面；基底包括容纳在...

本发明公开了一种加速度传感器结构与加速度传感器，其中加速度传感器结构包括：活动质量块上设有沿其厚度方向贯穿的容置槽；容置槽内设有锚点和两组惯性单元；针对一惯性单元，惯性单元包括至少一对180°旋转对称的惯性组件；惯性组件包括感测结构、弹...

本发明的实施例公开了一种线路板，上述线路板包括：芯层结构，其包括第一绝缘介质层以及设置于第一绝缘介质层两侧的第一导电线路层和第二导电线路层；介电层，其设置于芯层结构的具有第二导电线路层的一侧，并且介电层的两侧包覆有第二绝缘介质层，介电层...

本申请公开了一种MEMS芯片封装结构及电子设备。包括：基板、壳体、MEMS芯片以及ASIC芯片，所述基板与所述壳体固定连接以形成腔体，所述MEMS芯片和所述ASIC芯片均位于所述腔体内；其中，所述基板面向所述壳体的一侧设置有支撑结构，所...

本发明提供的一种MEMS芯片封装结构及制作方法，该方法包括提供第一基板和第二基板，第一基板具有第一金属体和器件结构，第二基板具有可供器件结构活动的空腔；在第二基板具有空腔的表面形成介质层，在介质层上形成至少一个环绕空腔的凹槽；在介质层的...

本发明的实施例公开了一种惯性传感器结构与惯性传感器，其中惯性传感器结构包括：衬底；器件结构，其设置在衬底的一侧，器件结构包括第一可动质量块、第二可动质量块；第一可动质量块和第二可动质量块关于一中心点180°旋转对称；一对限位梁，第一可动...

本发明提供了一种MEMS麦克风结构，包括：基板；封装壳体，封装壳体设置在基板的表面上，与基板围成空腔；在基板朝向空腔的一侧设置有MEMS芯片和ASIC芯片，MEMS芯片与ASIC芯片电连接，ASIC芯片电连接于通过基板上；ASIC芯片包...

本发明公开了一种微机电三轴陀螺仪与电子设备，微机电三轴陀螺仪包括：衬底；驱动组件，其包括间隔设置且振动方向相反的第一驱动框架和第二驱动框架；连接于第一驱动框架和第二驱动框架之间的第一检测组件和第二检测组件；第三检测组件，其包括对称地设置...

本发明公开了一种MEMS传感器的制作方法及MEMS传感器，其中，所述方法包括：提供第一基板，第一基板的一侧设有导电互联结构；在导电互联结构上形成覆盖导电互联结构的第一介质层；刻蚀第一介质层以形成第一通孔；在第一通孔内填充导电材料形成第一...

本技术涉及一种惯性传感器，包括可动质量块、中心锚点、盖体以及防粘层；可动质量块包括第一质量单元和第二质量单元，中心锚点位于可动质量块的镂空区域内，第一质量单元和第二质量单元分别位于中心锚点的两侧，第一质量单元的质量大于第二质量单元；第一...

本发明提供了一种微流道芯片的制造方法，方法包括：提供包括多个微流道芯片的半导体晶片，每个微流道芯片包括层叠设置的保护层和结构层，结构层具有微流道结构；在相邻两个微流道芯片之间的切割道位置，对半导体晶片的保护层进行包括激光诱导深度刻蚀技术...

本发明的实施例公开了一种微流道芯片的制造方法，包括：提供半导体晶片，包括多个微流道芯片，每个微流道芯片包括层叠设置的保护层和结构层，结构层具有微流道；在相邻两个微流道芯片之间的切割道位置对半导体晶片的保护层进行切割，以形成部分贯穿保护层...

本发明的实施例公开了一种麦克风组件及电子设备，其中麦克风组件包括：基底、第一电极、第二电极、第三电极、以及可动介质层；所述第一电极、所述第二电极、以及所述第三电极中的每个电极的纵长方向均与所述基底的厚度方向平行；所述可动介质层具有振动敏...

本发明公开了一种声电转换结构及其制作方法、以及麦克风、电子设备，其中，声电转换结构的制作方法包括：提供衬底，并在衬底的一侧制作第一绝缘层；在第一绝缘层上方制作阻尼结构层；在阻尼结构层背离衬底的一侧制作第二绝缘层；在第二绝缘层上方制作背极...

本发明公开了一种麦克风组件及麦克风，包括：基底，基底具有贯通的背腔；电极层，电极层包括相互隔离的第一电极区和第二电极区，第一电极区上设有朝向所述第二电极区延伸的第一齿电极和第二齿电极，第二电极区上设有朝向所述第一电极区延伸的第三齿电极，...

本申请提供一种压阻式压力传感器及其制备方法

本申请提供一种微机电压力传感器及其制备方法

本发明提供了一种集成的惯性传感器芯片及其制作方法，旨在通过在氧化硅片上形成第一空腔和第二空腔，并在氧化硅片上形成在厚度方向上贯穿其的第一通孔，并且形成的第一通孔在邻近其第一表面具有较大的第一开口，在位于其第二表面上具有相对较小的第二开口...

本申请提供一种微机电压力传感器及其制备方法