穿隧式场效晶体管制造技术

一种穿隧式场效晶体管，包含第一半导体层、第二半导体层以及本质半导体层。第二半导体层位于第一半导体层上。第一半导体层与第二半导体层是相对的导电型态。第二半导体层包含第一侧壁以及第二侧壁，其实质垂直且大于第一侧壁。本质半导体层接触第二半导体层的第二侧壁与第一半导体层。

Tunneling FET

【技术实现步骤摘要】
穿隧式场效晶体管
本揭露是关于穿隧式场效晶体管及其形成方法。
技术介绍
为了追求高装置密度、高效能以及低成本，半导体产业进展至纳米级科技制程，而三维设计(例如多栅极场效晶体管(multi-gatefieldeffecttransistor(FET))，包含鳍式场效晶体管(FinFET)以及栅极全环场效晶体管(gate-all-around(GAA)FET)的发展面临来自制程以及设计议题两者的考验。场效晶体管(FET)广泛地使用于集成晶片。场效晶体管包含源极、漏极以及栅极。场效晶体管常需要大的次临界斜率，例如小的次临界摆幅(subthresholdswing)，因为大的次临界斜率(subthresholdslope)有助于增加电流开关比而降低漏电流。
技术实现思路
本揭露的部分实施方式提供一种装置包含第一半导体层、第二半导体层以及本质半导体层。第二半导体层位于第一半导体层上。第一半导体层与第二半导体层是相对的导电型态。第二半导体层包含第一侧壁以及第二侧壁，其实质垂直且大于第一侧壁。本质半导体层接触第二半导体层的第二侧壁与第一半本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种穿隧式场效晶体管，其特征在于，包含：/n一第一半导体层；/n一第二半导体层，位于该第一半导体层上，其中该第一半导体层与该第二半导体层是属于相对的导电型态，且该第二半导体层包含一第一侧壁以及一第二侧壁，该第二侧壁实质垂直于且大于该第一侧壁；以及/n一本质半导体层，接触该第二半导体的该第二侧壁与该第一半导体层。/n

【技术特征摘要】
20180802 US 16/053,6171.一种穿隧式场效晶体管，其特征在于，包含：
一第一半导体层；
一第二半导体层，位于该第一半导体层上，其中该...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉尔本·朵尔伯斯，彼德·瑞姆瓦尔，麦特西亚斯·帕斯拉克，卡罗司·迪亚兹，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71