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一种穿隧式场效晶体管，包含第一半导体层、第二半导体层以及本质半导体层。第二半导体层位于第一半导体层上。第一半导体层与第二半导体层是相对的导电型态。第二半导体层包含第一侧壁以及第二侧壁，其实质垂直且大于第一侧壁。本质半导体层接触第二半导体层的...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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