【技术实现步骤摘要】
一种三维存储器及其制作方法
本申请三维存储器制造
，尤其涉及一种三维存储器及其制作方法。
技术介绍
三维存储器由于高存储密度、高稳定性和成熟的制备工艺而成为存储器闪存的主流结构。但是，随着三维存储器技术的发展，三维存储器(如3DNAND)中ON(Oxide/Nitride)的层叠数目越来越多，三维存储器中位于通道孔底部的外延结构的一致性越来越差。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本申请实施例提供了一种三维存储器的制作方法，以提高所述三维存储器中外延结构的一致性。为解决上述问题，本申请实施例提供了如下技术方案：一种三维存储器的制作方法，包括：在衬底的第一表面形成第一牺牲层；在所述第一牺牲层背离所述衬底的一侧形成堆叠结构，所述堆叠结构包括多个层叠单元，所述层叠单元包括层叠的层间介质层和第二牺牲层；在所述堆叠结构中形成贯穿所述堆叠结构的至少一个通道孔以及位于所述通道孔内的通道结构，所述通道孔延伸至所述衬底内，所述通道结构包括依次形成在所述通道孔表面的存储层和第一导...
【技术保护点】
1.一种三维存储器的制作方法，其特征在于，包括：/n在衬底的第一表面形成第一牺牲层；/n在所述第一牺牲层背离所述衬底的一侧形成堆叠结构，所述堆叠结构包括多个层叠单元，所述层叠单元包括层叠的层间介质层和第二牺牲层；/n在所述堆叠结构中形成贯穿所述堆叠结构的至少一个通道孔以及位于所述通道孔内的通道结构，所述通道孔延伸至所述衬底内，所述通道结构包括依次形成在所述通道孔表面的存储层和第一导电层；/n在所述堆叠结构中形成贯穿所述堆叠结构的至少一个栅线缝隙，所述栅线缝隙延伸至所述第一牺牲层内；/n在所述栅线缝隙表面形成保护结构；/n对所述保护结构的底部以及所述保护结构覆盖所述堆叠结构的...
【技术特征摘要】
1.一种三维存储器的制作方法，其特征在于，包括：
在衬底的第一表面形成第一牺牲层；
在所述第一牺牲层背离所述衬底的一侧形成堆叠结构，所述堆叠结构包括多个层叠单元，所述层叠单元包括层叠的层间介质层和第二牺牲层；
在所述堆叠结构中形成贯穿所述堆叠结构的至少一个通道孔以及位于所述通道孔内的通道结构，所述通道孔延伸至所述衬底内，所述通道结构包括依次形成在所述通道孔表面的存储层和第一导电层；
在所述堆叠结构中形成贯穿所述堆叠结构的至少一个栅线缝隙，所述栅线缝隙延伸至所述第一牺牲层内；
在所述栅线缝隙表面形成保护结构；
对所述保护结构的底部以及所述保护结构覆盖所述堆叠结构的部分进行去除，裸露所述第一牺牲层部分表面；
去除所述第一牺牲层以及所述通道结构中与所述第一牺牲层接触的存储层区域，形成第一填充区域；
在所述第一填充区域形成外延结构，所述外延结构至少覆盖所述衬底位于所述第一填充区域的裸露表面以及所述第一导电层位于所述第一填充区域的裸露表面。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述衬底和所述第一牺牲层的材料均为硅，则该方法还包括：
在所述衬底与所述第一牺牲层之间形成第一刻蚀阻挡层。
3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述保护结构包括第一保护层，所述第一保护层与所述第一牺牲层的材料不同。
4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述保护结构还包括：
位于所述栅线缝隙表面与所述第一保护层之间的第二保护层，所述第二保护层与所述存储层的材料不同。
5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述保护结构还包括：
位于所述栅线缝隙表面与所述第二保护层之间的第三保护层，所述第三保护层与所述第二保护层的材料不同。
6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述外延结构完全填充所述第一填充区域。
7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述外延结构包括：
覆盖所述衬底位于所述第一填充区域的裸露表面的第一外延结构以及覆盖所述第一导电层位于所述第一填充区域的裸露表面的第二外延结构，所述第一外延...
【专利技术属性】
技术研发人员：耿万波，薛磊，刘庆波，薛家倩，姚兰，刘小欣，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42
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