NAND存储器及其形成方法技术

本发明专利技术提供了一种NAND存储器及其形成方法，基底包括多个交替排布的第一有源区和隔离区，以及连接第一有源区的第二有源区，在基底上形成与第一有源区相交的多条源极选择线、漏极选择线以及字线，字线位于源极选择线和漏极选择线之间，且第二有源区位于相邻的源极选择线之间，然后在相邻的源极选择线之间的第二有源区上形成多个共源极接触，在相邻的漏极选择线之间的每个第一有源区上形成漏极接触，与现有技术中呈条状的共源极接触相比，本发明专利技术中共源极接触与漏极接触的面积不会相差太大，从而避免刻蚀形成接触孔的过程中造成刻蚀负载效应，保证共源极接触与漏极接触的尺寸精度，提高NAND存储器的性能。

NAND memory and its forming method

【技术实现步骤摘要】
NAND存储器及其形成方法
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种NAND存储器及其形成方法。
技术介绍
随着半导体技术的发展，开发出了各种半导体存储器件，如或非(NOR)闪存、与非(NAND)闪存等。相对于常规存储装置如磁存储器件，半导体存储器件具有访问速度快、存储密度高等优点。其中，NAND结构正受到越来越多的关注。NAND存储器的存储单元阵列包括串结构(stringstructure)。该串结构包括：漏极选择晶体管，其中漏极连接至位线(bitline)；源极选择晶体管，其中源极连接至公共源极线；以及多个存储单元，串联连接于所述漏极选择晶体管与源极选择晶体管之间。多个串结构电隔离且并联耦接。并联连接漏极选择晶体管栅极的为漏极选择线，并联连接源极选择晶体管栅极的为源极选择线，并联连接存储单元栅极的为字线(wordline)。串结构还沿垂直方向彼此连接。一串结构中的漏极选择晶体管的漏极连接至另一串结构的漏极选择晶体管的漏极，一串结构的源极选择晶体管的源极连接至另一串结构的源极选择晶体管的源极。在相邻的漏极选择线之间形成的结区本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种NAND存储器的形成方法，其特征在于，包括：/n提供一基底，所述基底包括多个交替排布的第一有源区和隔离区，以及连接所述第一有源区的第二有源区；/n在所述基底上形成与所述第一有源区相交的多条源极选择线、漏极选择线以及字线，所述字线位于所述源极选择线和漏极选择线之间，且所述第二有源区位于相邻的源极选择线之间；/n在相邻的所述源极选择线之间的第二有源区上形成多个共源极接触，在相邻的所述漏极选择线之间的每个第一有源区上形成漏极接触。/n

【技术特征摘要】
1.一种NAND存储器的形成方法，其特征在于，包括：
提供一基底，所述基底包括多个交替排布的第一有源区和隔离区，以及连接所述第一有源区的第二有源区；
在所述基底上形成与所述第一有源区相交的多条源极选择线、漏极选择线以及字线，所述字线位于所述源极选择线和漏极选择线之间，且所述第二有源区位于相邻的源极选择线之间；
在相邻的所述源极选择线之间的第二有源区上形成多个共源极接触，在相邻的所述漏极选择线之间的每个第一有源区上形成漏极接触。


2.如权利要求1所述的NAND存储器的形成方法，其特征在于，所述第一有源区与所述隔离区均沿第一方向延伸，所述第二有源区沿第二方向延伸，所述第一方向与所述第二方向垂直。


3.如权利要求2所述的NAND存储器的形成方法，其特征在于，所述源极选择线、漏极选择线以及字线均沿所述第二方向延伸。


4.如权利要求3所述的NAND存储器的形成方法，其特征在于，在所述源极选择线与所述字线之间，以及在所述漏极选择线与所述字线之间均形成有两条虚拟字线。


5.如权利要求1所述的NAND存储器的形成方法，其特征在于，所述共源极接触的横截面呈长方形或正方形，多个所述共源极接触均匀分布于所述第二有源区上。


6.如权利要求5所述的NAND存储器的形成方法，其特征在于，每个所述共源极接触位于相邻的两条所述第一有源区之间。


7.如权利要求1～6中任一项所述的NAND存储器的形成方法，其特征在于，在形成所述源极选择线、漏极选择线与字线之前，所述NAND存储器的形成方法还包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹恒，赵江，罗文军，杨海玩，仇圣棻，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31