【技术实现步骤摘要】
半导体存储器及其制造方法[相关申请案]本申请案享有以日本专利申请案2018-129771号(申请日：2018年7月9日)为基础申请案的优先权。本申请案通过参照该基础申请案而包含基础申请案的所有内容。
实施方式涉及一种半导体存储器及其制造方法。
技术介绍
已知有能够非易失地存储数据的NAND(NotAnd，与非)型闪速存储器。
技术实现思路
实施方式提供一种能够降低字线的电阻值的半导体存储器及其制造方法。实施方式的半导体存储器包含沿着第1方向交替地积层的第1导电体及第1绝缘体、以及多个存储柱。多个存储柱分别贯通所积层的第1导电体及第1绝缘体。多个存储柱分别包含沿着第1方向延伸的半导体、包围半导体的侧面的隧道绝缘膜、包围隧道绝缘膜的侧面的第2绝缘体、及包围第2绝缘体的侧面的阻挡绝缘膜。多个存储柱包含第1存储柱。所积层的第1绝缘体包含有在第1方向相邻的第1层及第2层。第1层与第2层之间的第1导电体包含第1及第2导电部、以及异质导电部。第1导电部与第1层及第2层分别...
【技术保护点】
1.一种半导体存储器，具备：/n第1导电体及第1绝缘体，沿着第1方向交替地积层；以及/n多个存储柱，分别贯通所述积层的第1导电体及第1绝缘体，分别包含沿着所述第1方向延伸的半导体、包围所述半导体的侧面的隧道绝缘膜、包围所述隧道绝缘膜的侧面的第2绝缘体、及包围所述第2绝缘体的侧面的阻挡绝缘膜；/n所述多个存储柱包含第1存储柱，/n所述积层的第1绝缘体包含有在所述第1方向相邻的第1层及第2层，/n所述第1层与所述第2层之间的第1导电体包含第1导电部、第2导电部、及第1异质导电部，/n所述第1导电部与所述第1层和所述第2层的每一层相接且沿着与所述第1方向交叉的第2方向扩展，/n所...
【技术特征摘要】
20180709 JP 2018-1297711.一种半导体存储器，具备：
第1导电体及第1绝缘体，沿着第1方向交替地积层；以及
多个存储柱，分别贯通所述积层的第1导电体及第1绝缘体，分别包含沿着所述第1方向延伸的半导体、包围所述半导体的侧面的隧道绝缘膜、包围所述隧道绝缘膜的侧面的第2绝缘体、及包围所述第2绝缘体的侧面的阻挡绝缘膜；
所述多个存储柱包含第1存储柱，
所述积层的第1绝缘体包含有在所述第1方向相邻的第1层及第2层，
所述第1层与所述第2层之间的第1导电体包含第1导电部、第2导电部、及第1异质导电部，
所述第1导电部与所述第1层和所述第2层的每一层相接且沿着与所述第1方向交叉的第2方向扩展，
所述第2导电部设置在所述第1存储柱的阻挡绝缘膜与所述第1导电部之间，与所述阻挡绝缘膜及所述第1导电部分别相接，由与所述第1导电部相同的材料形成，
所述第1异质导电部是在所述第1存储柱的所述阻挡绝缘膜与所述第1导电部之间沿着所述第1方向隔着所述第2导电部的1对导电部，由与所述第1导电部及所述第2导电部不同的材料形成。
2.根据权利要求1所述的半导体存储器，其中所述多个存储柱还包含与所述第1存储柱相邻的第2存储柱，
在与衬底的表面平行且包含所述第1异质导电部的截面中，所述第1存储柱的中心与在所述第1异质导电部最远离所述第1存储柱的部分之间的第1间隔比所述第1存储柱的所述中心与所述第2存储柱的中心之间的第2间隔的一半短。
3.根据权利要求1所述的半导体存储器，其中所述多个存储柱还包含与所述第1存储柱相邻的第2存储柱，
所述第1层与所述第2层之间的所述第1导电体还包含第3导电部及第2异质导电部，
所述第3导电部设置于所述第2存储柱的阻挡绝缘膜与所述第1导电部之间，且与所述第2存储柱的所述阻挡绝缘膜和所述第1导电部分别相接，由与所述第1导电部相同的材料形成，
所述第2异质导电部是在所述第2存储柱的所述阻挡绝缘膜与所述第1导电部之间沿着所述第1方向隔着所述第3导电部的1对导电部，由与所述第1至所述第3导电部不同的材料形成，
所述第1导电部包含有在所述第1存储柱与所述第2存储柱之间沿着所述第1方向延伸的缝隙。
4.根据权利要求1所述的半导体存储器，还具备绝缘部，该绝缘部设置在沿着与所述第1方向交叉的第3方向延伸且将所述积层的第1导电体及第1绝缘体分断的狭缝内，与所述第1导电部相接，
在所述第1存储柱与所述绝缘部之间不具有存储柱，
在所述第1存储柱与所述绝缘部之间的所述第1导电部不具有缝隙。
5.根据权利要求1所述的半导体存储器，其中交界形成在所述第1导电部与所述第2导电部之间。
6.根据权利要求1所述的半导体存储器，其中所述第1存储柱的所述阻挡绝缘膜包含夹在所述第1层与所述第2层之间的部分。
7.根据权利要求1所述的半导体存储器，其中所述阻挡绝缘膜包含沿着所述第1方向延伸的圆筒状的第1氧化物、及沿着所述第1方向延伸的与所述第1氧化物不同的第2氧化物，
所述第2氧化物包围所述第1氧化物的侧面。
8.根据权利要求1所述的半导体存储器，其中所述第1异质导电部中的所述1对导电部与所述第2导电部分别设置为单环状。
9.根据权利要求1所述的半导体存储器，其中所述第1导电部与所述第2导电部分别包含钨。
10.根据权利要求1所述的半导体存储器，其中所述第1异质导电部包含氮化钛。
11.一种半导体存储器，具备：
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