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实施方式涉及一种半导体存储器及其制造方法。半导体存储器包含交替地积层的第1导电体及第1绝缘体、以及存储柱。存储柱贯通第1导电体及第1绝缘体，且包含半导体、隧道绝缘膜、第2绝缘体、及阻挡绝缘膜。第1绝缘体包含有在第1方向相邻的第1、2层。第1...
该专利属于东芝存储器株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东芝存储器株式会社授权不得商用。

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