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本发明提供了一种NAND存储器及其形成方法，基底包括多个交替排布的第一有源区和隔离区，以及连接第一有源区的第二有源区，在基底上形成与第一有源区相交的多条源极选择线、漏极选择线以及字线，字线位于源极选择线和漏极选择线之间，且第二有源区位于相邻...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。