温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请实施例公开了一种三维存储器及其制作方法，该制作方法先在衬底和堆叠结构之间形成第一牺牲层，然后在所述堆叠结构形成通道结构和栅线缝隙等结构后，去除所述第一牺牲层，并填充外延结构，使得外延结构形成在所述第一牺牲层所在的区域，即不再将所述外延...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。