SONOS存储器的制作方法技术

本发明专利技术提供一种SONOS存储器的制作方法，包括提供半导体基底，半导体基底表面覆盖有垫氧化层，在去除垫氧化层后，在半导体基底表面生成厚度大于垫氧化层的牺牲层，再去除存储管区域的牺牲层，然后在半导体基底上依次沉积第一氧化层、氮化层和第二氧化层，再去除第二氧化层以及去除氮化层和第一氧化层位于选择管区域和所述外围逻辑区域的部分。在利用刻蚀工艺去除氮化层位于选择管区域和外围逻辑区域的部分时，下方的第一氧化层和牺牲层作为刻蚀阻止层，由于牺牲层较厚，可以有效避免氮化层刻蚀时被刻穿的问题，因而可以减少氮化层刻蚀对半导体基底造成的损伤，提高SONOS存储器的可靠性，同时可以提升氮化层刻蚀工艺窗口。

The method of making SONOS memory

【技术实现步骤摘要】
SONOS存储器的制作方法
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种SONOS存储器的制作方法。
技术介绍
SONOS(Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon)存储器具有单元尺寸小、存储保持性好、操作电压低等特点，被广泛应用于计算机等设备上。在SONOS存储器的制作过程中，半导体基底上设置有存储管区域、选择管区域以及外围逻辑区域，其中需要在存储管区域表面生成ONO(Oxide-Nitride-Oxide)层，在制作时，通常先形成覆盖半导体基底全部表面的依次叠加的第一氧化层、氮化层和第二氧化层，然后去掉这三层在存储管区域以外的部分。随着SONOS存储器尺寸的缩小，如40nm工艺节点的SONOS存储器，器件采用浅结，为保证器件拥有较好的均一性能，离子注入时覆盖在半导体基底表面上的垫氧化层通常设置得较薄。另外在执行在半导体基底表面依次沉积第一氧化层、氮化层和第二氧化层之前，常通过表面清洗去除存储管区域表面的自然氧化层，在表面清洗过程中，选择管区域和外围逻辑区域表面的垫氧化层也会被进一步减薄。目前，在去本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种SONOS存储器的制作方法，其特征在于，包括：/n提供半导体基底，所述半导体基底中设置有浅沟槽隔离结构和被所述浅沟槽隔离结构限定的有源区，所述有源区包括已执行阱注入的存储管区域、选择管区域和外围逻辑区域，所述半导体基底表面覆盖有垫氧化层；/n去除所述垫氧化层，并在所述半导体基底表面生成牺牲层，所述牺牲层的厚度大于所述垫氧化层的厚度；/n去除所述存储管区域的所述牺牲层；/n在所述半导体基底上依次沉积第一氧化层、氮化层和第二氧化层，所述第一氧化层覆盖剩余的所述牺牲层以及所述存储管区域露出的半导体基底，所述氮化层覆盖所述第一氧化层，所述第二氧化层覆盖所述氮化层；/n去除所述第二氧化层；以及/...

【技术特征摘要】
1.一种SONOS存储器的制作方法，其特征在于，包括：
提供半导体基底，所述半导体基底中设置有浅沟槽隔离结构和被所述浅沟槽隔离结构限定的有源区，所述有源区包括已执行阱注入的存储管区域、选择管区域和外围逻辑区域，所述半导体基底表面覆盖有垫氧化层；
去除所述垫氧化层，并在所述半导体基底表面生成牺牲层，所述牺牲层的厚度大于所述垫氧化层的厚度；
去除所述存储管区域的所述牺牲层；
在所述半导体基底上依次沉积第一氧化层、氮化层和第二氧化层，所述第一氧化层覆盖剩余的所述牺牲层以及所述存储管区域露出的半导体基底，所述氮化层覆盖所述第一氧化层，所述第二氧化层覆盖所述氮化层；
去除所述第二氧化层；以及
去除所述氮化层和所述第一氧化层位于所述选择管区域和所述外围逻辑区域的部分，同时去除剩余的所述牺牲层。


2.如权利要求1所述的SONOS存储器的制作方法，其特征在于，在所述半导体基底表面生成所述牺牲层采用低压基氧化工艺、化学气相沉积工艺或炉管氧化工艺。


3.如权利要求1所述的SONOS存储器的制作方法，其特征在于，在去除所述垫氧化层之前，所述制作方法还包括执行器件阱注入工艺，并在所述外围逻辑区域执行调整阈值电压离子注入工艺。


4.如权利要求3所述的SONOS存储器的制作方法，其特征在于，在所述半导体基底表面生成所述牺牲层之后、在去除所述存储管区域的所述牺牲层之前，所述制作方法还包括：在所述存储管区域进行调整控制栅阈值电压离子注入工艺。


5.如权利要求1所述的SONOS存储器的制作方法，其特征在于，去除所述氮化层和所述第一氧化层位于所述选择管...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘政红，邵华，陈昊瑜，黄冠群，齐瑞生，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31