制造设备及其晶圆承载盘制造技术

本发明专利技术公开一种制造设备及其晶圆承载盘，晶圆承载盘包含呈圆形的第一表面、位于第一表面相反侧的第二表面、凹设于第一表面的N个晶圆槽。第一表面界定出以其圆心为顶点且面积相等的N个扇形区域，N为大于1的正整数，N个晶圆槽分别自N个扇形区域所凹设形成。N个晶圆槽是相对于第一表面的圆心以预定角度而呈旋转对称排列，预定角度为360/N度。每个扇形区域包含两直线边与圆弧边，每个晶圆槽的内侧壁包含直线段与圆弧段。在每个扇形区域及其内的晶圆槽中，直线段平行于两个直线边的其中之一，而圆弧段相切于两个直线边的其中另一。据此，通过在晶圆承载盘形成有特定排布方式的N个晶圆槽，以避免位于晶圆槽内的晶圆之外围部位的磊晶厚度过厚。

Manufacturing equipment and wafer bearing disk

【技术实现步骤摘要】
制造设备及其晶圆承载盘
本专利技术涉及一种承载盘，尤其涉及一种制造设备及其晶圆承载盘。
技术介绍
现有的晶圆承载盘能用来承载多个晶圆，用以使上述多个晶圆可以在一制造设备中进行磊晶。其中，为提升上述制造设备的效果，现有晶圆承载盘大都在既定的面积上尽可能地容置最多的晶圆数量。然而，现有晶圆承载盘对于其所承载的晶圆之排布方式容易使晶圆的外围部位所形成的磊晶厚度较厚，进而影响到晶圆的磊晶厚度均匀性。于是，本专利技术人认为上述缺陷可改善，乃特潜心研究并配合科学原理的运用，终于提出一种设计合理且有效改善上述缺陷的本专利技术。
技术实现思路
本专利技术实施例在于提供一种制造设备及其晶圆承载盘，其能有效地改善现有晶圆承载盘所可能产生的缺陷。本专利技术实施例公开一种晶圆承载盘，包括：一第一表面及一第二表面，所述第二表面位于所述第一表面的相反侧；其中，所述第一表面呈圆形，并且所述第一表面界定出以其圆心为顶点且面积相等的N个扇形区域，并且N为大于1的正整数；以及N个晶圆槽，分别自所述第一表面的N个所述扇形区域所凹设形成，并且N个所述晶圆槽是相对于所述第一表面的圆心、以一预定角度而呈一旋转对称排列设置，并且所述预定角度为360/N度；其中，每个所述扇形区域包含有两个直线边与一圆弧边，而每个所述晶圆槽的内侧壁包含有一直线段与一圆弧段；于每个所述扇形区域及其内的所述晶圆槽中，所述直线段大致平行于两个所述直线边的其中之一，而所述圆弧段则是相切于两个所述直线边的其中另一。优选地，于所述第一表面的任两个相邻所述扇形区域中，其中一个所述扇形区域的至少一个所述直线边重叠于其中另一个所述扇形区域的至少一个所述直线边。优选地，于所述第一表面的每个所述扇形区域中，任一个所述直线边的长度不大于所述第一表面的一半径，而任一个所述直线边的长度除以所述半径的比值是介于0.9～0.96。优选地，于每个所述晶圆槽中，所述直线段的长度除以所述圆弧段的一直径的比值是介于0.36～0.4。优选地，于每个所述扇形区域及其内的所述晶圆槽中，所述圆弧段相切于所述圆弧边，并且所述圆弧段是与所述第一表面的边缘相隔有一距离，而所述距离介于8毫米～15毫米。优选地，于每个所述扇形区域及其内的所述晶圆槽中，所述圆弧段的圆心未落在所述扇形区域的角平分线。优选地，任两个相邻的所述晶圆槽之间呈彼此间隔设置、并且具有介于0.5毫米～2毫米的一间距。优选地，多个所述直线段的中垂线彼此相连所构成的形状呈一正N边形，而N进一步限定介于3～8。优选地，所述第一表面的直径为465厘米，而多个扇形区域在所述第一表面上所共同构成的圆形区域之直径为440厘米。本专利技术实施例也公开一种制造设备的晶圆承载盘，包括：一设备本体；以及一晶圆承载盘，位于所述设备本体内，并且所述晶圆承载盘包含有：一第一表面及一第二表面，所述第二表面位于所述第一表面的相反侧；其中，所述第一表面呈圆形，并且所述第一表面界定出以其圆心为顶点且面积相等的N个扇形区域，并且N为大于1的正整数；及N个晶圆槽，分别自所述第一表面的N个所述扇形区域所凹设形成，并且N个所述晶圆槽是相对于所述第一表面的圆心、以一预定角度而呈一旋转对称排列设置，并且所述预定角度为360/N度；其中，每个所述扇形区域包含有两个直线边与一圆弧边；于所述第一表面的每个所述扇形区域中，任一个所述直线边的长度不大于所述第一表面的一半径，而任一个所述直线边的长度除以所述半径的比值是介于0.9～0.96；其中，所述晶圆承载盘能以所述第一表面的所述圆心为一转动轴心而相对于所述设备本体自转。综上所述，本专利技术实施例所公开的制造设备及其晶圆承载盘，其透过在晶圆承载盘第一表面上形成有特定排布方式的N个晶圆槽，借以减少邻近第一表面边缘的晶圆槽部位(或使每个晶圆槽适度地远离第一表面边缘)，进而避免位于晶圆槽内的晶圆之外围部位的磊晶厚度过厚。为能更进一步了解本专利技术的特征及
技术实现思路
，请参阅以下有关本专利技术的详细说明与附图，但是此等说明与附图仅用来说明本专利技术，而非对本专利技术的保护范围作任何的限制。附图说明图1为本专利技术实施例的晶圆承载盘的示意图。图2为本专利技术实施例的制造设备的示意图。图3为图1的晶圆承载盘于其第一表面定义有多个扇形区域的示意图。图4为图3的俯视示意图。图5为图3的局部放大示意图。图6为本专利技术晶实施例的圆承载盘另一实施形态的示意图。图7为本专利技术晶实施例的圆承载盘又一实施形态的示意图。图8为图4中的VⅢ部位的局部放大示意图。图9为本专利技术实施例的磊晶实验结果示意图。具体实施方式请参阅图1至图9，其为本专利技术的实施例，需先说明的是，本实施例对应附图所提及的相关数量与外型，仅用来具体地说明本专利技术的实施方式，以便于了解本专利技术的内容，而非用来局限本专利技术的保护范围。如图1所示，本实施例公开一种晶圆承载盘100，其优选是能在一制造设备(如：化学气相沉积仪)中用来承载多个晶圆，以使所述多个晶圆能在上述制造设备中进行磊晶作业，但本专利技术不受限于此。换个角度来说，如图2所示，本实施例也公开一种制造设备1000(如：化学气相沉积仪)，包含有一设备本体200及位于所述设备本体200内的一晶圆承载盘100，并且所述晶圆承载盘100能以其中心(如：下述第一表面1的圆心C1)为一转动轴心而相对于所述设备本体200自转。如图3所示，所述晶圆承载盘100包含有一第一表面1、位于上述第一表面1相反侧的一第二表面2、及凹设于所述第一表面1的N个晶圆槽3。其中，所述第一表面1呈圆形，并且第一表面1界定出以其圆心C1为顶点且面积相等的N个扇形区域11，N为大于1的正整数。再者，所述N个晶圆槽3分别凹设于N个扇形区域11，也就是说，每个扇形区域11凹设有一个晶圆槽3。其中，所述晶圆承载盘100于本实施例中呈圆盘状构造，也就是说，上述晶圆承载盘100的第一表面1与第二表面2于本实施例中为相同的圆形，但本专利技术不受于此。举例来说，在本专利技术未绘示的其他实施例中，上述晶圆承载盘100的第二表面2也可以是非圆形。进一步地说，如图4和图5所示，上述每个扇形区域11包含有两个直线边111与一圆弧边112，并且所述两个直线边111的一端相交于第一表面1的圆心C1，每个扇形区域11的圆弧边112的半径优选为上述任一个直线边111的长度L111，而每个扇形区域11的圆弧边112的圆心C112则是坐落于第一表面1的圆心C1。再者，于所述第一表面1的任两个相邻扇形区域11中，其中一个扇形区域11的至少一个直线边111重叠于其中另一个扇形区域11的至少一个直线边111。在所述第一表面1的每个扇形区域11中，任一个直线边111的长度L111不大于所述第一表面1的一半径R1，而任一个直线边111的长度L111除以所述半径R1的比值优选是是介于0.9～0.96(上述比值于本实施例中是以0.946来说明)。换个角度来说，所述第一表面1在其外围部位留有圆环状的一空白区本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆承载盘，其特征在于，所述晶圆承载盘包括：/n一第一表面及一第二表面，所述第二表面位于所述第一表面的相反侧；其中，所述第一表面呈圆形，并且所述第一表面界定出以所述第一表面的圆心为顶点且面积相等的N个扇形区域，并且N为大于1的正整数；以及/nN个晶圆槽，分别自所述第一表面的N个所述扇形区域所凹设形成，并且N个所述晶圆槽相对于所述第一表面的圆心以一预定角度而呈一旋转对称排列设置，并且所述预定角度为360/N度；/n其中，每个所述扇形区域包含有两个直线边与一圆弧边，而每个所述晶圆槽的内侧壁包含有一直线段与一圆弧段；在每个所述扇形区域及所述扇形区域内的所述晶圆槽中，所述直线段大致平行于两个所述直线边的其中一个直线边，而所述圆弧段则相切于两个所述直线边的其中另一直线边。/n

【技术特征摘要】
20180704 TW 1071231291.一种晶圆承载盘，其特征在于，所述晶圆承载盘包括：
一第一表面及一第二表面，所述第二表面位于所述第一表面的相反侧；其中，所述第一表面呈圆形，并且所述第一表面界定出以所述第一表面的圆心为顶点且面积相等的N个扇形区域，并且N为大于1的正整数；以及
N个晶圆槽，分别自所述第一表面的N个所述扇形区域所凹设形成，并且N个所述晶圆槽相对于所述第一表面的圆心以一预定角度而呈一旋转对称排列设置，并且所述预定角度为360/N度；
其中，每个所述扇形区域包含有两个直线边与一圆弧边，而每个所述晶圆槽的内侧壁包含有一直线段与一圆弧段；在每个所述扇形区域及所述扇形区域内的所述晶圆槽中，所述直线段大致平行于两个所述直线边的其中一个直线边，而所述圆弧段则相切于两个所述直线边的其中另一直线边。


2.根据权利要求1所述的晶圆承载盘，其特征在于，在所述第一表面的任两个相邻所述扇形区域中，其中一个所述扇形区域的至少一个所述直线边重叠于其中另一个所述扇形区域的至少一个所述直线边。


3.根据权利要求1所述的晶圆承载盘，其特征在于，在所述第一表面的每个所述扇形区域中，任一个所述直线边的长度不大于所述第一表面的一半径，而任一个所述直线边的长度除以所述半径的比值是介于0.9～0.96之间。


4.根据权利要求1所述的晶圆承载盘，其特征在于，在每个所述晶圆槽中，所述直线段的长度除以所述圆弧段的一直径的比值是介于0.36～0.4之间。


5.根据权利要求1所述的晶圆承载盘，其特征在于，在每个所述扇形区域及所述扇形区域内的所述晶圆槽中，所述圆弧段相切于所述圆弧边，并且所述圆弧段与所述第一表面的边缘相隔有一距离，...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢伟杰，刘嘉哲，施英汝，
申请(专利权)人：环球晶圆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71