The invention provides a semiconductor processing belt capable of fully heating shrinkage in a short time and maintaining kerf width. The semiconductor processing belt (10) of the invention is characterized by a bonding belt (15), the bonding belt (15) is characterized by a substrate film (11) and an adhesive layer (12) formed on at least one side of the substrate film (11), and the integral value calculated by the sum of the thermal deformation rate of each 1 \u2103 between 40 \u2103 - 80 \u2103 measured by the thermal mechanical property tester in any first direction when the temperature is raised is The sum of the integral values calculated from the sum of the thermal deformation rates of each 1 \u00b0 C between 40 \u00b0 C and 80 \u00b0 C measured by the thermomechanical property testing machine in the second direction at right angles to the first direction is a negative value.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体加工用带
本专利技术涉及能够扩张的半导体加工用带,其于将晶片截断为芯片状元件的切割工序中能够用于固定晶片,进而亦能够用于切割后使芯片与芯片之间或使芯片与基板之间粘接的芯片接合工序、安装工序中,并且能够用于利用扩张使粘接剂层沿着芯片截断的工序中。
技术介绍
以往,集成电路(IC:IntegratedCircuit)等半导体装置的制造工序中,实施如下工序:为使电路图案形成后的晶片薄膜化而磨削晶片背面的背面研磨工序、于晶片背面贴附具有粘合性及伸缩性的半导体加工用带后,以芯片单元将晶片截断的切割工序、将半导体加工用带扩展(扩张)的扩张工序、将经截断的芯片予以拾取的拾取工序、进而将经拾取的芯片粘接于引线框或封装基板等(或者于堆叠封装中,使芯片彼此层叠、粘接)的芯片接合(安装)工序。上述背面研磨工序中,为了保护晶片的电路图案形成面(晶片表面)免于受污染,而使用表面保护带。晶片的背面磨削结束后,在要从晶片表面剥离该表面保护带时,于晶片背面贴合以下所述的半导体加工用带(切割-芯片接合带)后,将半导体加工用带侧固定于吸附台,对表面保护带施以使对晶片的粘接力降低的处理后,剥离表面保护带。经剥离表面保护带后的晶片随后以于背面贴合了晶片的状态自吸附台拿起,供于之后的切割工序。另外,上述的使粘接力降低的处理于表面保护带由紫外线等能量射线固化性成分形成时为能量射线照射处理,于表面保护带由热固化性成分形成时为加热处理。上述背面研磨工序后的切割工序~安装工序中,使用于基材膜上依序层叠有粘合剂层及粘接剂层的半导体加工用带。一般, ...
【技术保护点】
1.一种半导体加工用带,其特征在于,具有粘合带,该粘合带具有基材膜、及形成于所述基材膜的至少一面侧的粘合剂层,/n对于所述粘合带而言,以MD方向上的利用热机械特性试验机于升温时测定的40℃~80℃之间的每1℃的热变形率的总和算出的积分值与以TD方向上的利用热机械特性试验机于升温时测定的40℃~80℃之间的每1℃的热变形率的总和算出的积分值之和为负值。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180328 JP 2018-0610611.一种半导体加工用带,其特征在于,具有粘合带,该粘合带具有基材膜、及形成于所述基材膜的至少一面侧的粘合剂层,
对于所述粘合带而言,以MD方向上的利用热机械特性试验机于升温时测定的40℃~80℃之间的每1℃的热变形率的总和算出的积分值与以TD方...
【专利技术属性】
技术研发人员:桥本浩介,仙台晃,佐野透,
申请(专利权)人:古河电气工业株式会社,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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