半导体加工用带制造技术

本发明专利技术提供能够在短时间充分加热收缩、且能够保持切口(kerf)宽度的半导体加工用带。本发明专利技术的半导体加工用带(10)的特征为具有粘合带(15)，该粘合带(15)具有基材膜(11)及形成于所述基材膜(11)的至少一面侧的粘合剂层(12)，对于所述粘合带(15)而言，MD方向上的利用热机械特性试验机于升温时测定的40℃～80℃之间的每1℃的热变形率的微分值的总和与TD方向上的利用热机械特性试验机于升温时测定的40℃～80℃之间的每1℃的热变形率的微分值的总和之和为负值。

Semiconductor processing tape

The invention provides a semiconductor processing belt capable of fully heating shrinkage in a short time and maintaining kerf width. The semiconductor processing belt (10) of the invention is characterized by a bonding belt (15), the bonding belt (15) has a base film (11) and an adhesive layer (12) formed on at least one side of the base film (11). For the bonding belt (15), the sum of the differential values of the thermal deformation rate of each 1 \u2103 between 40 \u2103 - 80 \u2103 measured by the thermomechanical property testing machine in the MD direction at the time of temperature rise and the TD square The sum of the differential values of the thermal deformation rate of each 1 \u2103 between 40 \u2103 and 80 \u2103 measured by the thermomechanical property testing machine is negative.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体加工用带
本专利技术涉及能够扩张的半导体加工用带，其于将晶片截断为芯片状元件的切割工序中能够用于固定晶片，进而亦能够用于切割后使芯片与芯片之间或使芯片与基板之间粘接的芯片接合工序、安装工序中，并且能够用于利用扩张使粘接剂层沿着芯片截断的工序中。
技术介绍
以往，集成电路(IC：IntegratedCircuit)等半导体装置的制造工序中，实施如下工序：为使电路图案形成后的晶片薄膜化而磨削晶片背面的背面研磨工序、于晶片背面贴附具有粘合性及伸缩性的半导体加工用带后，以芯片单元将晶片截断的切割工序、将半导体加工用带扩展(扩张)的扩张工序、将经截断的芯片予以拾取的拾取工序、进而将经拾取的芯片粘接于引线框或封装基板等(或者于堆叠封装中，使芯片彼此层叠、粘接)的芯片接合(安装)工序。上述背面研磨工序中，为了保护晶片的电路图案形成面(晶片表面)免于受污染，而使用表面保护带。晶片的背面磨削结束后，在要从晶片表面剥离该表面保护带时，于晶片背面贴合以下所述的半导体加工用带(切割-芯片接合带)后，将半导体加工用带侧固定于吸附台，对表面保护带施以使对晶片的粘接力降低的处理后，剥离表面保护带。经剥离表面保护带后的晶片随后以于背面贴合了晶片的状态自吸附台拿起，供于之后的切割工序。另外，上述的使粘接力降低的处理于表面保护带由紫外线等能量射线固化性成分形成时为能量射线照射处理，于表面保护带由热固化性成分形成时为加热处理。上述背面研磨工序后的切割工序～安装工序中，使用于基材膜上依序层叠有粘合剂层及粘接剂层的半导体加工用带。一般，使用这样的半导体加工用带时，首先于晶片背面贴合半导体加工用带的粘接剂层，使晶片固定，使用切割刀片以芯片单元对晶片及粘接剂层予以切割。随后，通过使胶带于晶片的径向扩展，而实施扩大芯片彼此的间隔的扩张工序。该扩张工序是为了于随后的拾取工序中，提高基于CCD相机等的芯片辨识性并且于拾取芯片时防止因相邻的芯片彼此接触而产生的芯片破损而实施的。随后，芯片于拾取工序与粘接剂层一起自粘合剂层剥离并拾取，于安装工序，直接粘接于引线框或封装基板等。如此，通过使用半导体加工用带，能够将带粘接剂层的芯片直接粘接于引线框、封装基板等，故可省略粘接剂的涂布工序、另外对各芯片粘接芯片接合膜的工序。然而，上述切割工序中，如上述，由于使用切割刀片将晶片与粘接剂层一起切割，故不仅发生晶片的切削屑，亦发生粘接剂层的切削屑。因此，于粘接剂层的切削屑阻塞于晶片的切割槽时，芯片彼此紧粘在一起而发生拾取不良等，而有半导体装置的制造成品率降低的问题。为了解决这样的问题，而提案有于切割工序中利用刀片仅对晶片切割，于扩张工序中通过扩展半导体加工用带将粘接剂层按照各个芯片进行截断的方法(例如专利文献1)。如此，依据利用扩展时的张力使粘接剂层截断的方法，不会发生粘接剂的切削屑，对于拾取工序亦不会造成不良影响。另外，近年来，作为晶片的截断方法，提案有通过使用激光加工装置而能够非接触地截断晶片的所谓隐形切割(stealthdicing)法。例如，专利文献2中作为隐形切割法揭示了具备下述工序的半导体基板的截断方法，即，介隔粘接剂层(芯片接合树脂层)，将焦点光对准于贴附有片的半导体基板内部，通过照射激光光，而于半导体基板内部通过多光子吸收形成改性区域，将该改性区域作为截断预定部的工序，以及通过将片扩展而沿着截断预定部截断半导体基板及粘接剂层的工序。另外，作为使用激光加工装置的其他晶片截断方法，例如于专利文献3中揭示了一种晶片的分割方法，其包含下述工序：于晶片背面安装芯片接合用的粘接剂层(粘接膜)的工序，于贴合了该粘接剂层的晶片的粘接剂层侧贴合能够伸长的保护粘合带的工序，自贴合了保护粘合带的晶片表面沿着间隔道照射激光光线，而分割为各个芯片的工序，扩展保护粘合带而对粘接剂层赋予拉伸力，使粘接剂层按照每个芯片进行断裂的工序，以及使经断裂的贴合有粘接剂层的芯片自保护粘合带脱离的工序。依据这些专利文献2及专利文献3中记载的晶片截断方法，由于利用激光光的照射及胶带的扩展而非接触地截断晶片，故对晶片的物理负荷小，能够在不发生进行现在主流的刀片切割时的晶片切削屑(切屑)的情况下进行晶片截断。另外，由于利用扩展截断粘接剂层，故亦不发生粘接剂层的切削屑。因此，作为可替代刀片切割的优异技术受到瞩目。然而，如上述专利文献1～3所记载，利用扩张而扩展、使粘接剂层截断的方法，于使用以往的半导体加工用带时，会有如下问题：随着扩张量的上升，扩张环处受到顶起的部分伸长，于解除扩张后该部分松弛，而无法保持芯片间的间隔(以下称为“切口宽度”)。因此，提案有利用扩张而使粘接剂层截断，解除扩张后，通过加热使半导体加工用带的松弛部分收缩，而保持切口宽度的方法(例如专利文献4、5)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2007-5530号公报专利文献2：日本特开2003-338467号公报专利文献3：日本特开2004-273895号公报专利文献4：国际公开第2016/152957号专利文献5：日本特开2015-211081号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题不过，作为利用加热使因扩张产生的半导体加工用带的松弛收缩的方法，一般使用如下的方法，即，对于扩张环处被顶起并产生松弛的圆环状部分，通过环绕一对温风喷嘴，而使温风碰触该部分进行加热收缩。上述专利文献4所记载的半导体加工用带，于100℃加热10秒时的胶带的长度方向及宽度方向这两个方向的热收缩率为0％以上20％以下。然而，环绕温风喷嘴而加热时，由于半导体加工用带的表面附近的温度缓缓上升，故有为了去除圆环状全部部位的松弛而耗费时间的问题。另外，有切口宽度的保持性不充分，在芯片拾取时相邻的芯片也容易被同时拾取，而使半导体部件制造工序的成品率恶化的问题。另外，上述专利文献5所记载的半导体加工用带于130℃～160℃的收缩率为0.1％以上(参考专利文献5说明书的权利要求1)，产生收缩的温度高。因此，利用温风进行加热收缩时，需要高的温度与长的加热时间，而有温风的影响波及到晶片外周附近的粘接剂层，使分割了的粘接剂层熔融并再熔接的可能性。另外，有切口宽度的保持性不充分，在芯片拾取时相邻的芯片也被同时拾取，而使半导体部件制造工序的成品率恶化的问题。因此，本专利技术的目的在于提供能够在短时间充分加热收缩、且能够以可以抑制相邻芯片也被同时拾取的程度充分保持切口宽度的半导体加工用带。用以解决课题的手段为了解决上述课题，本专利技术的半导体加工用带的特征在于，具有粘合带，该粘合带具有基材膜、及形成于所述基材膜的至少一面侧的粘合剂层，所述粘合带中MD方向上的利用热机械特性试验机于升温时测定的40℃～80℃之间的每1℃的热变形率的微分值的总和与TD方向上的利用热机械特性试验机于升温时测定的40℃～80℃之间的每1℃的热变形率的微分值的总和之和为负值。另外，上述半导体加工用带优选于所述粘合剂层侧依序层叠有粘接剂层与剥离膜。另外，上述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体加工用带，其特征在于，具有粘合带，该粘合带具有基材膜、及形成于所述基材膜的至少一面侧的粘合剂层，/n对于所述粘合带而言，MD方向上的利用热机械特性试验机于升温时测定的40℃～80℃之间的每1℃的热变形率的微分值的总和与TD方向上的利用热机械特性试验机于升温时测定的40℃～80℃之间的每1℃的热变形率的微分值的总和之和为负值。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180328 JP 2018-0610631.一种半导体加工用带，其特征在于，具有粘合带，该粘合带具有基材膜、及形成于所述基材膜的至少一面侧的粘合剂层，
对于所述粘合带而言，MD方向上的利用热机械特性试验机于升温时测定的40℃～80℃之间的每1℃的热变形率的微分值的总和与TD方向...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐野透，仙台晃，桥本浩介，
申请(专利权)人：古河电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP