光半导体元件、光集成元件以及光半导体元件的制造方法技术

光半导体元件例如具备：基板；第一突出部，具有第一台面，并从基板向第一方向突出，所述第一台面具有在基板上沿第一方向层叠有多个半导体层的层叠构造且包括活性层来作为半导体层；以及第二突出部，在相对于第一突出部在与第一方向交叉的第二方向上分离的位置从基板向第一方向突出，包括与第一台面相同的层叠构造，在第一方向的端部露出多个半导体层中的一个。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及光半导体元件、光集成元件以及光半导体元件的制造方法。

技术介绍

1、以往，公知半导体激光元件、半导体光放大器这样的光半导体元件(例如，专利文献1)。此外，以往公知一体地具备专利文献1那样的光半导体元件和具有波导的部位(以下，将该部位称为光功能元件)的光集成元件(例如，专利文献2)。

2、在先技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：国际公开第2021/024997号

5、专利文献2：日本特开2017-092262号公报

技术实现思路

1、-专利技术所要解决的课题-

2、在这种光集成元件中，若光半导体元件的半导体层的层叠方向上的光半导体元件与光功能元件的对位精度低，则光半导体元件与光功能元件的光的耦合效率降低。

3、专利文献1的光半导体元件具有突出部作为层叠方向上的与光功能元件的对位部，在该突出部的前端设置有钝化膜。

4、然而，钝化膜容易产生膜厚的偏差，或者容易产生剥离，由此可能难以确保光半导体元件与光功能元件的对位本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种光半导体元件，具备：

2.根据权利要求1所述的光半导体元件，其中，

3.根据权利要求2所述的光半导体元件，其中，

4.根据权利要求1～3中任一项所述的光半导体元件，其中，

5.根据权利要求4所述的光半导体元件，其中，

6.根据权利要求1～3中任一项所述的光半导体元件，其中，

7.一种光集成元件，具备：

8.根据权利要求7所述的光集成元件，其中，

9.根据权利要求8所述的光集成元件，其中，

10.一种光半导体元件的制造方法，具备如下工序：

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种光半导体元件，具备：

2.根据权利要求1所述的光半导体元件，其中，

3.根据权利要求2所述的光半导体元件，其中，

4.根据权利要求1～3中任一项所述的光半导体元件，其中，

5.根据权利要求4所述的光半导体元件，其中，

【专利技术属性】
技术研发人员：宫岛贤一，清田和明，木本龙也，今村明博，平岩浩二，
申请(专利权)人：古河电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：