半导体芯片的制造方法、表面保护带技术

在半导体晶片(1)的磨削后，使半导体晶片(1)的表面(S)侧与静电夹头(9)相向，将半导体晶片(1)固定于静电夹头(9)。接着，在贴合有表面保护带(3)的状态下，在经磨削的半导体晶片(1)的背面(B)形成掩模材料层。接着，从背面(B)侧，对与在图案面(2)适宜形成为格子状等的多个切割道相当的部分照射激光，切断掩模带(11)，将半导体晶片(1)的切割道开口。接着，从背面(B)侧照射SF

Manufacturing method and surface protection tape of semiconductor chip

After the grinding of the semiconductor wafer (1), the surface (s) side of the semiconductor wafer (1) is opposite to the electrostatic chuck (9), and the semiconductor wafer (1) is fixed on the electrostatic chuck (9). Next, a mask material layer is formed on the back side (b) of the ground semiconductor wafer (1) in the state of adhering the surface protection belt (3). Then, from the back (b) side, irradiate the laser on a portion equivalent to a plurality of cutting channels which are suitable to be shaped into a lattice or the like on the pattern surface (2), cut off the mask band (11), and open the cutting channel of the semiconductor chip (1). Next, irradiate SF from the back (b) side

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体芯片的制造方法、表面保护带
本专利技术涉及利用等离子体切割将半导体晶片单片化的半导体芯片的制造方法、和该制造方法中使用的半导体晶片的表面保护带。
技术介绍
最近，半导体芯片向薄膜化、小芯片化的进展显著，特别是对于内置有存储卡、智能卡之类的半导体IC芯片的IC卡要求薄膜化，另外，对于LED/LCD驱动用器件等要求小芯片化。今后，随着这些器件的需求的增加，认为半导体芯片的薄膜化、小芯片化的要求会进一步提高。这些半导体芯片可通过以下方式获得，即，将半导体晶片在背面研磨工序或蚀刻工序等中薄膜化成规定厚度后，经切割工序分割成各个芯片。在该切割工序中，使用通过切割刀片而切断的刀片切割方式。在刀片切割方式中，切断时刀片所引起的切削阻力直接施加到半导体晶片。因此，有时会因该切削阻力而使半导体芯片产生微小的缺损(碎片(chipping))。产生碎片不仅有损半导体芯片的外观，而且根据情况的不同有可能因抗弯强度不足而导致拾取时的芯片破损，甚至连芯片上的电路图案也会破损。另外，这种利用刀片进行的物理切割工序中，无法使作为芯片彼此的间隔的切口(kerf)(也称为切割线(scribeline)、切割道(street))的宽度窄于具有厚度的刀片宽度。其结果，由一片晶片能够获得的芯片的数量(收率)变少。此外，还存在晶片的加工时间长的问题。除刀片切割方式以外，在切割工序中还利用各种方式。例如，包括下述DBG(先切割)方式，该方式鉴于使晶片薄膜化后进行切割的困难度，而先仅以规定的厚度在晶片形成槽，然后进行磨削加工，同时进行薄膜化与向芯片的单片化。根据该方式，虽然切口宽度与刀片切割工序相同，但具有芯片的抗弯强度提升并能够抑制芯片破损的优点。另外，还存在利用激光进行切割的激光切割方式。根据激光切割方式，也有能够使切口宽度窄、并且成为干式工艺的优点。但存在因利用激光进行切断时的升华物而污染晶片表面的不良情况，有时需要利用规定的液状保护材料对晶片表面进行保护的预处理。另外，虽说为干式工艺，但尚未实现完全的干式工艺。此外，与刀片切割方式相比，激光切割方式能够使处理速度高速化。但是，在逐一生产线进行加工时并无变化，且在极小芯片的制造中相应地要花费时间。另外，也有以水压进行切割的喷水(waterjet)方式等使用湿式工艺的方式。在该方式中，在MEMS器件或CMOS传感器等需要高度地抑制表面污染的材料中有可能引起问题。另外，在切口宽度的窄小化方面存在限制，所得到的芯片的收率也低。另外，还已知隐形切割(stealthdicing)方式，其中，在晶片的厚度方向上通过激光而形成改性层，并扩张、分割而单片化。该方式具有能够使切口宽度为零、能利用干式进行加工的优点。然而，有因改性层形成时的热历史而使芯片抗弯强度降低的倾向，另外，在扩张、分割时有时会产生硅屑。此外，与相邻芯片的碰撞有可能引起抗弯强度不足。此外，作为将隐形切割与先切割合并的方式，有应对窄划线宽度的芯片单片化方式，该方式在薄膜化之前先仅以规定的厚度形成改性层，然后从背面进行磨削加工而同时进行薄膜化与向芯片的单片化。该技术可改善上述工艺的缺点，在晶片背面磨削加工中利用应力将硅的改性层劈开而单片化，因此具有切口宽度为零而芯片收率高、抗弯强度也提升的优点。但是，由于在背面磨削加工中进行单片化，因而有时会发现芯片端面与相邻芯片碰撞而导致芯片角缺损的现象。另外，还提出了利用等离子体切割方式的切割技术(例如参照专利文献1)。等离子体切割方式为下述方法：通过用等离子体选择性地蚀刻未被掩模覆盖的部位，从而对半导体晶片进行分割。若使用该切割方法，则能够选择性地进行芯片的分割，即便切割线弯曲也能没有问题地分割。另外，由于蚀刻速率非常高，因而近年来一直被视为最适于芯片分割的工艺之一。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2007-19385号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题在等离子体切割方式中，将六氟化硫(SF6)或四氟化碳(CF4)等与晶片的反应性非常高的氟系气体用作等离子体产生用气体。因此，蚀刻速率高，对于不进行蚀刻的面必须利用掩模进行保护。该掩模形成于半导体晶片的图案面侧，通过进行等离子体处理而将芯片单片化后，通过利用O2等离子体的灰化工序而除去。但是，所形成的掩模未必是均匀的层，因此若将掩模完全除去，则担心过度的灰化会对器件产生损伤。本专利技术是鉴于这种问题而进行的，其目的在于提供一种半导体芯片制造方法等，该制造方法在利用等离子体切割将半导体晶片单片化时能够抑制掩模的灰化时的对器件的损伤。用于解决课题的手段为了达到上述目的，第1专利技术为一种半导体芯片制造方法，其为半导体芯片的制造方法，其特征在于，具备下述工序：工序a，在半导体晶片的图案面侧贴合至少在基材膜上具有粘合剂层的表面保护带，在该状态下对上述半导体晶片的背面进行磨削；工序b，在贴合有上述表面保护带的状态下，在经磨削的上述半导体晶片的背面形成掩模材料层；工序c，利用激光切断与上述半导体晶片的切割道相当的部分，从上述半导体晶片的上述掩模材料层侧将切割道开口；等离子体切割工序d，利用SF6等离子体将上述半导体晶片在上述切割道处进行分割，单片化成半导体芯片；灰化工序e，利用O2等离子体将上述掩模材料层除去；工序f，在经灰化的上述半导体晶片的背面贴合芯片固定带，用环形框架支撑固定；和工序g，剥离上述表面保护带。上述粘合剂层优选以侧链具有烯键式不饱和键的(甲基)丙烯酸共聚物为主要成分，上述(甲基)丙烯酸共聚物及其交联物的含量为90％以上。上述粘合剂层优选使用相对于上述(甲基)丙烯酸共聚物100质量份为0.5质量份～5质量份的具有异氰酸酯基的固化剂或具有环氧基的固化剂使至少一部分进行了交联。上述基材膜的弯曲弹性模量优选为5.0×108Pa以上1.0×1010Pa以下。形成上述基材膜的树脂的熔点优选为90℃以上。上述基材膜中的未形成上述粘合剂层的一侧的表面粗糙度Ra优选为0.1μm以上2.0μm以下。上述基材膜中的未形成上述粘合剂层的一侧的表面电阻率优选小于1013Ω/sq。上述粘合剂层的储能模量优选为5.0×104Pa以上2.0×105Pa以下。根据第1专利技术，能够利用等离子体照射将晶片分割成芯片，因此能够抑制不良芯片的产生。此时，在图案面侧贴附表面保护带后，在半导体晶片的背面侧形成掩模材料层，从半导体晶片的背面侧将半导体晶片单片化。因此，通过除去掩模材料层的灰化工序，图案面不会受到损伤。即，能够抑制掩模的灰化时的对器件的损伤。另外，粘合剂层以侧链具有烯键式不饱和键的(甲基)丙烯酸共聚物为主要成分的情况下、且(甲基)丙烯酸共聚物及其交联物的含量为90％以上时，耐化学药品性、抗氧化性充分，因此能够抑制粘合剂层的溶解、溶胀。另外，粘合剂层利用相对于(甲基)丙烯酸共聚物为特定量的具有异氰酸酯基的固化剂或具有环氧基的固化剂进行交联，由此能够确保对于晶片表面的图案面的追随性，能够抑制晶片背面的磨削时等的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体芯片制造方法，其为半导体芯片的制造方法，其特征在于，/n具备下述工序：/n工序a，在半导体晶片的图案面侧贴合至少具有基材膜和粘合剂层的表面保护带，在该状态下对所述半导体晶片的背面进行磨削；/n工序b，在贴合有所述表面保护带的状态下，在经磨削的所述半导体晶片的背面形成掩模材料层；/n工序c，利用激光切断与所述半导体晶片的切割道相当的部分，从所述半导体晶片的所述掩模材料层侧将切割道开口；/n等离子体切割工序d，利用SF

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180328 JP 2018-0629401.一种半导体芯片制造方法，其为半导体芯片的制造方法，其特征在于，
具备下述工序：
工序a，在半导体晶片的图案面侧贴合至少具有基材膜和粘合剂层的表面保护带，在该状态下对所述半导体晶片的背面进行磨削；
工序b，在贴合有所述表面保护带的状态下，在经磨削的所述半导体晶片的背面形成掩模材料层；
工序c，利用激光切断与所述半导体晶片的切割道相当的部分，从所述半导体晶片的所述掩模材料层侧将切割道开口；
等离子体切割工序d，利用SF6等离子体将所述半导体晶片在所述切割道处进行分割，单片化成半导体芯片；
灰化工序e，利用O2等离子体将所述掩模材料层除去；
工序f，在经灰化的所述半导体晶片的背面贴合芯片固定带，用环形框架支撑固定；和
工序g，剥离所述表面保护带。


2.如权利要求1所述的半导体芯片制造方法，其特征在于，所述粘合剂层以侧链具有烯键式不饱和键的(甲基)丙烯酸共聚物为主要成分，所述(甲基)丙烯酸共聚物及其交联物的含量为90％以上。


3.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：三上一辉，内山具朗，阿久津晃，
申请(专利权)人：古河电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP