氮化物半导体发光元件、氮化物半导体发光装置。氮化物半导体发光元件(1)包括第一导电型的第一氮化物半导体层(12)；氮化物半导体层叠体，形成于所述第一氮化物半导体层上的一部分且包含氮化物半导体发光层及第二导电型的第二氮化物半导体层；第一电极，形成在第一氮化物半导体层；第二电极，形成在氮化物半导体层叠体的第二氮化物半导体层。第一电极(15a～15e)和第二电极(16a～16d)沿第一方向延伸。第一电极和第二电极沿俯视时与第一方向垂直的第二方向隔着间隔并列配置。被第二电极夹着的第一电极(15b～15d)的第二方向的尺寸(W2)大于未被第二电极夹着的第一电极(15a、15e)的第二方向的尺寸(W1)。
【技术实现步骤摘要】
氮化物半导体发光元件、氮化物半导体发光装置
本专利技术涉及氮化物半导体发光元件以及具有其的氮化物半导体发光装置。
技术介绍
氮化物半导体发光元件例如由如下构件构成：基板、在基板上形成的n型氮化物半导体层、在n型氮化物半导体层上的一部分形成的氮化物半导体层叠体(包括氮化物半导体发光层和p型氮化物半导体层的台面部)、形成于n型氮化物半导体层上的n型电极、形成于氮化物半导体层叠体的p型氮化物半导体层上的p型电极。专利文献1中记载了将氮化物半导体发光元件的台面部(第一区域)的平面形状制成具有从三个方向包围第二区域(除第一区域以外的区域)的凹部的形状，将第二区域的平面形状制成被第一区域的凹部包围的凹部区域与除凹部区域以外的区域(周边区域)连续的形状。另外，记载了使n型电极跨凹部区域和周边区域形成在第二区域内的n型半导体层上，使p型电极形成在p型半导体层的最上表面。进而，n型电极以在俯视时n型电极的外形线与台面部的外形线隔着固定间隔并沿着台面部的外形线的方式形成。为了提高氮化物半导体发光元件的发光效率，要求氮化物半导体发光元件在发光面内均匀发光。作为发光光量的不均匀性的原因之一可列举出：在元件内，存在在p型电极和n型电极间之间流动的电流的集中部分。作为其对策，专利文献2提出了：通过以面状覆盖p型半导体层的方式形成p型电极，并且在p型半导体层的表面形成具有比p型半导体层或p型电极高的电阻的高电阻层，所述高电阻层的形状是在靠近n型电极的一侧沿着n型电极中的p型半导体层侧的形状的形状，从而抑制电流集中而不减少发光面积。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特许第5985782号公报专利文献2：日本特开2014-96460号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题专利文献1记载的氮化物半导体发光元件不具有考虑了抑制电流集中的结构。专利文献2记载的氮化物半导体发光元件中，由于形成高电阻层以抑制电流集中，因此存在制造成本增加的问题。本专利技术的技术问题是以低成本提供一种电流集中得以抑制的氮化物半导体发光元件。用于解决问题的方案为了实现上述课题，本专利技术的一个实施方式的氮化物半导体发光元件具有下述技术特征(a)～(c)。(a)包括：第一导电型的第一氮化物半导体层；氮化物半导体层叠体(台面部)，其形成于第一氮化物半导体层上的一部分，且包含氮化物半导体发光层以及第二导电型的第二氮化物半导体；多个第一电极，其形成在第一氮化物半导体层上，并且沿着第一方向延伸；以及多个第二电极，其形成在氮化物半导体层叠体的第二氮化物半导体层上，并且沿着所述第一方向延伸。(b)第一电极和第二电极沿着在俯视时与第一方向垂直的第二方向隔着间隔并列配置。(c)存在被第二电极夹着的第一电极和未被第二电极夹着的第一电极，被第二电极夹着的第一电极的第二方向的尺寸大于未被第二电极夹着的第一电极的第二方向的尺寸。专利技术的效果本专利技术的氮化物半导体发光元件是期望抑制电流集中的氮化物半导体发光元件，并且是能够以低成本提供的氮化物半导体发光元件。附图说明图1是对本专利技术的氮化物半导体发光元件的第一例进行说明的俯视图。图2是显示本专利技术的氮化物半导体发光元件的第一例的剖视图，其是对应于图1的A-A剖视图的图。图3是对本专利技术的氮化物半导体发光元件的第二例进行说明的俯视图。图4是对本专利技术的氮化物半导体发光元件的第三例进行说明的俯视图。图5是对本专利技术的氮化物半导体发光元件的第四例进行说明的俯视图。图6是对本专利技术的氮化物半导体发光元件的第五例进行说明的俯视图。图7是对比较例1的半导体芯片(氮化物半导体发光元件)进行说明的俯视图。图8A是显示在模拟1中得到的关于氮化物半导体发光元件的电流密度的最大值与第一电极的尺寸差之间的关系的图表。图8B是显示在模拟1中得到的关于氮化物半导体发光元件的电流密度与电位差之间的关系的图表。图8C是显示在模拟1中得到的关于氮化物半导体发光元件的IQE(内量子效率)与电流密度之间的关系的图表。图9是对比较例2的半导体芯片(氮化物半导体发光元件)进行说明的俯视图。图10是显示在模拟2中得到的结果的图表。图11是对比较例3的半导体芯片(氮化物半导体发光元件)进行说明的俯视图。图12是显示在模拟3中得到的结果的图表。图13是显示相当于本专利技术的实施方式的氮化物半导体发光装置的俯视图。图14示出图13的局部剖视图，其对应于A-A截面。图15是显示构成图13的氮化物半导体发光装置的半导体发光元件的电极配置的俯视图。图16是显示构成图13的氮化物半导体发光装置的半导体发光元件的俯视图。图17是显示构成图13的氮化物半导体发光装置的基体的俯视图。图18示出第一实施方式的氮化物半导体发光装置中的图13的局部剖视图，其对应于B-B截面。图19是显示绝缘层形成工序后的状态的俯视图。图20是显示去除绝缘层的一部分的工序(露出工序)后的状态的俯视图。图21是显示在图16的半导体发光元件上形成有第一连接体和第二连接体的状态的俯视图。图22示出第二实施方式的氮化物半导体发光装置中的图13的局部剖视图，其对应于B-B截面。图23示出第三实施方式的氮化物半导体发光装置中的图13的局部剖视图，其对应于B-B截面。图24示出第四实施方式的氮化物半导体发光装置中的图13的局部剖视图，其对应于B-B截面。图25示出第五实施方式的氮化物半导体发光装置中的图13的局部剖视图，其对应于B-B截面。附图标记说明10氮化物半导体发光装置1、1A～1H、1J半导体芯片(氮化物半导体发光元件)11基板110基板的一面(形成有第一氮化物半导体层的面)12n型氮化物半导体层(第一氮化物半导体层)125边缘部13氮化物半导体发光层14p型氮化物半导体层(第二氮化物半导体层)15an型电极(第一电极、未被第二电极夹着的第一电极)15bn型电极(第一电极、被第二电极夹着的第一电极)15cn型电极(第一电极、被第二电极夹着的第一电极)15dn型电极(第一电极、被第二电极夹着的第一电极)15en型电极(第一电极、未被第二电极夹着的第一电极)16ap型电极(第二电极)16bp型电极(第二电极)16cp型电极(第二电极)16dp型电极(第二电极)161a～161dp型电极的凸部(分离部)162a～162dp型电极(第二电极)的沿着相邻的n型电极(第一电极)的部分163a，163dp型电极(第二电极)的分离部150a～150e焊盘电极160a～160d焊盘电极17绝缘层18布线层18a～18e布线层的带状部18f布线层的侧部18g布线层的角部(形成有第一连接体的部分)181布线层的与第一连接体接触的部位182布线层的与第一连接体接触的部位的背侧2封装基板(基体)25封装基板的n型电极(第三电极)252封装基板的n型电极的连接部26封装基板的p型电极(第四电极)262封装基板的p型电极的连接部3a～3d氮化物半导体层叠体3第一连接体4第二连接体具体实施方式[一实施方式的氮化物半导体发光元件]一实施方式的氮化物半导体发光元件具有上述技术特征(a)～(c)，但认为通过具有下述特征(d)～(j)的至少一个以上，与不具有这些的特征的情况相比，电流集中的抑制效果变高。(d)被第二电极夹着的第一电极的第一方向的尺寸是未被第二电极夹着的第一电极的第一方向的尺寸以上本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种氮化物半导体发光元件，其包括：第一导电型的第一氮化物半导体层；氮化物半导体层叠体，其形成于所述第一氮化物半导体层上的一部分，且包含氮化物半导体发光层以及第二导电型的第二氮化物半导体层；多个第一电极，其形成在所述第一氮化物半导体层上，并且沿着第一方向延伸；以及，多个第二电极，其形成在所述氮化物半导体层叠体的所述第二氮化物半导体层上，并且沿着所述第一方向延伸，所述第一电极和所述第二电极沿着在俯视时与所述第一方向垂直的第二方向隔着间隔并列配置，存在被所述第二电极夹着的所述第一电极和未被所述第二电极夹着的所述第一电极，被所述第二电极夹着的所述第一电极的所述第二方向的尺寸大于未被所述第二电极夹着的所述第一电极的所述第二方向的尺寸。
【技术特征摘要】
2018.04.23 JP 2018-082346;2018.04.23 JP 2018-082341.一种氮化物半导体发光元件，其包括：第一导电型的第一氮化物半导体层；氮化物半导体层叠体，其形成于所述第一氮化物半导体层上的一部分，且包含氮化物半导体发光层以及第二导电型的第二氮化物半导体层；多个第一电极，其形成在所述第一氮化物半导体层上，并且沿着第一方向延伸；以及，多个第二电极，其形成在所述氮化物半导体层叠体的所述第二氮化物半导体层上，并且沿着所述第一方向延伸，所述第一电极和所述第二电极沿着在俯视时与所述第一方向垂直的第二方向隔着间隔并列配置，存在被所述第二电极夹着的所述第一电极和未被所述第二电极夹着的所述第一电极，被所述第二电极夹着的所述第一电极的所述第二方向的尺寸大于未被所述第二电极夹着的所述第一电极的所述第二方向的尺寸。2.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，其中，被所述第二电极夹着的所述第一电极的所述第一方向的尺寸是未被所述第二电极夹着的所述第一电极的所述第一方向的尺寸以上。3.根据权利要求1或2中任一项所述的氮化物半导体发光元件，其中，所述多个第二电极中的至少一个在所述第一方向上的端部具有距相邻的所述第一电极的距离朝向前端逐渐增大的部分。4.根据权利要求3所述的氮化物半导体发光元件，其具有电极对，所述电极对由在所述第二方向上相邻的所述第一电极和所述第二电极形成，并且所述第一电极的所述第一方向的尺寸比所述第二电极的所述第一方向的尺寸长，所述电极对的所述第二电极的所述第一方向上的端部在所述电极对的所述第一电极侧具有距相邻的所述第一电极的距离朝向前端逐渐增大的部分。5.根据权利要求1～4中任一项所述的氮化物半导体发光元件，其中，所述第一氮化物半导体层具有长方形的平面形状，所述第一方向与所述长方形的长边平行或者基本平行，满足下述式(1)和下述式(2)中的至少一者，所述式(1)表示所述长方形的长边的尺寸L1与未被所述第二电极夹着的所述第一电极的所述第一方向的尺寸L2之间的关系，所述式(2)表示所述长方形的长边的尺寸L1与配置在未被所述第二电极夹着的所述第一电极旁边的所述第二电极的所述第一方向的尺寸L3之间的关系，140μm＜L1-L2＜650μm(1)140μm＜L1-L3＜650μm(2)。6.根据权利要求1～5中任一项所述的氮化物半导体发光元件，其中，所述第一氮化物半导体层具有长方形的平面形状，所述第一方向与所述长方形的长边平行或...
【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤恒辅，
申请(专利权)人：旭化成株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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