【技术实现步骤摘要】
半导体结构及测试系统
本技术涉及半导体制造
，更具体地，涉及一种半导体结构及测试系统。
技术介绍
金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,MOSFET)是一种电压控制元件，简称MOS管。MOS管适用于只允许从信号源获取较少电流的情况；而在信号电压较低，又允许从信号源获取较多电流的条件下，应选用双极晶体管。衬底或阱也被称为MOS管的“体”(Body)，MOS管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此MOS管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管(VerticalDouble-diffusedMOSFET,VDMOS)兼有双极晶体管和普通MOS器件的优点。与双极晶体管相比，它的开关速度，开关损耗小；输入阻抗高，驱动功率小；频率特性好；跨导高度线性。并且，它具有负的温度系数，没有功率晶体管的二次击穿问题，安全工作区大。因此，不论是开关应用还是线性应用，VDMOS都是理想的功率器件。T...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，用于形成至少一个半导体器件和至少一个测试区，其特征在于，所述半导体结构包括：衬底；掺杂层，形成于所述衬底的第一表面；以及多个沟槽，每个所述沟槽贯穿所述掺杂层并延伸至所述衬底内，其中，所述多个沟槽包括至少一个第一沟槽和至少一个第二沟槽，每个所述第二沟槽用于形成相应的所述半导体器件的栅极，每个所述第一沟槽在所述掺杂层中限定并隔离出具有闭环边界的所述测试区，每个所述测试区分别具有两个测试节点。
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，用于形成至少一个半导体器件和至少一个测试区，其特征在于，所述半导体结构包括：衬底；掺杂层，形成于所述衬底的第一表面；以及多个沟槽，每个所述沟槽贯穿所述掺杂层并延伸至所述衬底内，其中，所述多个沟槽包括至少一个第一沟槽和至少一个第二沟槽，每个所述第二沟槽用于形成相应的所述半导体器件的栅极，每个所述第一沟槽在所述掺杂层中限定并隔离出具有闭环边界的所述测试区，每个所述测试区分别具有两个测试节点。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构具有非有效区域和有效区域，所述至少一个半导体器件位于所述有效区域，所述至少一个测试区位于所述非有效区域。3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述非有效区域与所述半导体结构的划片线位置对应。4.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：介质层，形成于每个所述沟槽的暴露表面；以及多晶硅，填充在每个所述沟槽内部。5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，位于所述有效区域内的所述掺杂层形成相应的所述半导体器件的体区，...
【专利技术属性】
技术研发人员：周源，张小麟，张志文，李静怡，王超，朱林迪，裴紫薇，
申请(专利权)人：北京燕东微电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：北京,11
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