【技术实现步骤摘要】
一种半导体材料解理过程中偏移裂片载荷的获取方法
本专利技术涉及一种半导体光电子器件工艺
，具体涉及一种半导体材料解理过程中偏移裂片载荷的获取方法。
技术介绍
半导体产业是伴随着上一轮计算机与互联网技术革命迅速发展起来的。其中，芯片作为计算机的核心部件,占整个计算机成本的绝大部分，因此在随后数十年的时间里,芯片呈现出了蓬勃发展态势。近年来,中国的芯片产业开始迅速发展,但国内集成电路芯片制造技术水平与世界先进水平相差巨大，仍处于起步阶段。芯片制造过程中需经过一系列特定的加工工艺技术，其中裂片工序属于封装环节很重要的步骤之一，即将晶粒从晶圆上剥离出来。裂片过程中因载荷过大等因素会使解理裂纹处于失稳扩展的状态，所产生的解理裂纹直接影响的了芯片的使用质量和寿命。同时现有条件下难以实时测量不同厚度晶圆解离时所需临界载荷，生产效率较低。
技术实现思路
本专利技术是为了解决上述问题而进行的，目的在于提供一种半导体材料解理过程中偏移裂片载荷的获取方法。本专利技术提供了一种半导体材料解理过程中偏移裂片载荷的获取方法，具有这样的特征，包括：步骤1：使用刀片在晶圆上进行刻划产生划痕，测...
【技术保护点】
1.一种半导体材料解理过程中偏移裂片载荷的获取方法，其特征在于，包括：步骤1：使用刀片在晶圆上进行刻划产生划痕，测量出划痕长度L、晶圆厚度H以及划片深度a，以所述划痕底部的中心点O作为原点建立二维坐标系，得到O1和O2，在O2点处施加载荷P0，基于三点弯曲断裂建立应力函数模型得到O点的应力函数σ1(x1,y1)：
【技术特征摘要】
1.一种半导体材料解理过程中偏移裂片载荷的获取方法，其特征在于，包括：步骤1：使用刀片在晶圆上进行刻划产生划痕，测量出划痕长度L、晶圆厚度H以及划片深度a，以所述划痕底部的中心点O作为原点建立二维坐标系，得到O1和O2，在O2点处施加载荷P0，基于三点弯曲断裂建立应力函数模型得到O点的应力函数σ1(x1,y1)：步骤2：以O1点为坐标原点，O点坐标为(b,a)，O2点坐标为(c,d)，∣c∣＝∣b∣，∣d∣＝∣H∣,建立新的O点的应力函数σ(x,y)，x＝x1-a，y＝y1-b，新应力函数σ(x,y)表示为：步骤3：在向O2点施加载荷时，会偏移理想接触点O2，设偏移量为l，当向接触点O2向左侧偏移时，偏移载荷P左如公式(3)所示，当向接触点O2向右侧偏移时，偏移载荷P右如公式(4)所示：步骤4：综合(2)、(3)以及(4)式，当载荷向点O2左侧偏移时，O点的应力函数σ左(a,b)如公式(5)所示，当载荷向点O2右侧偏移时，O点的应力函数σ右(a,b)如公式(6)所示为：步骤5：当O点的应力大于解离...
【专利技术属性】
技术研发人员：姜晨，高睿，董康佳，郎小虎，任绍彬，
申请(专利权)人：上海理工大学，
类型：发明
国别省市：上海,31
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