用于检测缺陷发生和位置的移动检查系统技术方案

一种用于检测在制造工艺工具中缺陷发生和位置的系统，包括：检查晶圆，包括多个传感器和电源，其被配置为插入制造工艺工具并检查制造工艺工具；以及处理元件，被配置为接收来自传感器的输入数据，并通过所述制造工艺工具的检查，在从至少一个所述传感器在不同时间所接收的数据之间进行比较而计算缺陷的位置、时间发生和物理特征。所述检查晶圆还包括一个或多个发射器，所述发射器被配置为发射信号，使得所述传感器能够检测作为缺陷的结果发生的信号的一个或多个特性的变化。所述检查晶圆还包括逻辑器件、处理元件和存储器件，所述逻辑器件采样所述传感器的输出，所述处理元件对所采样的传感器的输出进行处理，并将处理后的数据存储在存储器件上。

A Mobile Inspection System for Detecting the Occurrence and Location of Defects

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于检测缺陷发生和位置的移动检查系统
本专利技术涉及半导体制造控制领域。更具体地，本专利技术涉及用于检查半导体制造工艺工具的系统，以及具体在所述工艺工具中检测缺陷的发生和位置。
技术介绍
在现代时代，集成电路(IC)制造正在经历持续缩小的趋势。由于IC的复杂性和制造工艺的精度要求，严格的工艺控制的重要性不断增长。目前，在VLSI装置的制造和制造设施中，工程师投入了大量的时间和资源用于工艺控制和过程中的缺陷减少。制造工艺通常包括(但不限于那些)在制造半导体器件时使用(这里称为)操作、测量和工具，例如超大规模集成(VLSI)制造。电子制造中的缺陷被定义为物理属性(例如，质量、尺寸或图形)、电、光学和/或机械特性或晶圆在该晶圆的特定位置和在该工艺中的特定时间经历制造工艺的特征的不期望的变化。例如，15纳米的沉积层厚度，而不是12纳米，被视为缺陷。另一示例性缺陷是与晶圆在特定位置和时间接触的粒子。这样的外来粒子可以破坏所制造的管芯(小块的半导体材料，在该半导体材料块上制造了给定的功能电路)，特别是当所制造的管芯包括非常高密度的电子器件时。在这种密集环境中，即使非常小的粒子也可以破坏所制造的模本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于检测在制造工艺工具中缺陷发生和位置的系统，包括：c.检查晶圆，包括多个传感器和电源，所述晶圆被配置为插入所述制造工艺工具并检查所述制造工艺工具；以及d.处理元件，被配置为接收来自传感器的输入数据，并通过所述制造工艺工具的检查，在从至少一个所述传感器在不同时间所接收的数据之间进行比较而计算缺陷的位置、时间发生和物理特征。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.10.22 US 62/411,5411.一种用于检测在制造工艺工具中缺陷发生和位置的系统，包括：c.检查晶圆，包括多个传感器和电源，所述晶圆被配置为插入所述制造工艺工具并检查所述制造工艺工具；以及d.处理元件，被配置为接收来自传感器的输入数据，并通过所述制造工艺工具的检查，在从至少一个所述传感器在不同时间所接收的数据之间进行比较而计算缺陷的位置、时间发生和物理特征。2.根据权利要求1所述的系统，其特征在于：适合于在制造工艺中检测粒子的存在。3.根据权利要求2所述的系统，其特征在于，适合于检测选自以下的粒子的存在：·介电粒子；·金属粒子；·半导电粒子；·来源于所述工艺工具内部的粒子；·来源于在所述工具内部流动的材料产生的粒子；以及·来源于所述工艺工具的外部的粒子。4.根据权利要求1所述的系统，其特征在于：所述检查晶圆还包括一个或多个发射器，所述发射器被配置为发射信号，使得所述传感器能够检测作为缺陷的结果发生的信号的一个或多个特性的变化。5.根据权利要求1所述的系统，其特征在于：所述检查晶圆还包括逻辑器件、处理元件和存储器件，其中，所述逻辑器件采样所述传感器的输出，所述处理元件对所采样的传感器的输出进行处理，并将处理后的数据存储在存储器件上。6.根据权利要求1所述的系统，其特征在于：所述处理元件是远离所述检查晶圆的计算机工作站。7.根据权利要求5所述的系统，其特征在于：所述检查晶圆还包括通信元件，其被配置为向远程计算机工作站发送数据。8.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述传感器是选自以下所列之一：·一个或多个电容器传感器；·一个或多个电阻传感器；·一个或多个光电阴极；·一个或多个光检测器传感器；·一个或多个微机电(MEM)装置；·一个或多个电容式微加工超声换能器；·一个或多个振荡器装置，其被配置为测量能量或质量变化；·谐振电/光装置·一个或多个压力传感器；·一个或多个温度传感器；或·上述两种或更多种之间的组合。9.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：马坦·拉皮多特，
申请(专利权)人：马坦·拉皮多特，
类型：发明
国别省市：以色列,IL