氧化物型半导体材料及溅镀靶制造技术

本发明专利技术的目的是公开一种由Zn氧化物与Sn氧化物所构成的氧化物型半导体材料(ZTO：Zn-Sn-O系氧化物)，以作为IGZO的代替材料，该氧化物型半导体材料是与IGZO同等以上的10cm2／Vs左右的高载子迁移率，并且不须要高温热处理。本发明专利技术为含有Zn氧化物与Sn氧化物的氧化物型半导体材料，其特征是含有Zr以作为掺杂物，Zr含有量为，相对于作为金属元素的Zn、Sn、Zr的各原子数总和的掺杂物的原子比为0.005以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】氧化物型半导体材料及溅镀靶
本专利技术是涉及一种供以形成构成液晶显示器(display)等显示装置的半导体组件的半导体材料，尤其是还涉及一种含有锌(Zn)氧化物与锡(Sn)氧化物，且含有锆(Zr)以作为掺杂物(dopant)的氧化物型半导体材料。
技术介绍
近年来，由液晶显示器所代表的薄型电视等的显示装置，生产量的增加、与大画面化的倾向很显著。而且，就该显示装置而言，使用薄膜晶体管(Thin Film Transistor,简称TFT)作为开关(switching)组件的主动数组型(active matrix type)的液晶显示器广为普及。在以如所述的TFT作为开关组件的显示装置中，是使用氧化物型半导体材料作为TFT的构成材料。就该氧化物型半导体材料而言，有一种属于透明氧化物半导体材料之一的IGZ0(In-Ga-Zn-0系氧化物)受到瞩目(参照专利文献I)。由于该IGZO的载子(carrier)迁移率仅次于目前所使用的多晶娃，且如非晶娃(amorphous silicon, a_Si)TFT特性的特性差异小，因此可作为今后的半导体材料中有希望的材料而渐开始广受利用。然而，在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氧化物型半导体材料，为含有Zn氧化物与Sn氧化物的氧化物型半导体材料，其特征为：含有Zr作为掺杂物，Zr含有量为，相对于作为金属元素的Zn、Sn、Zr的各原子数总和的掺杂物的原子比为0.005以下。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.05.27 JP 2011-1188041.一种氧化物型半导体材料，为含有Zn氧化物与Sn氧化物的氧化物型半导体材料，其特征为: 含有Zr作为掺杂物，Zr含有量为，相对于作为金属元素的Zn、Sn、Zr的各原子数总和的掺杂物的原子比为0.005以下。2.一种薄膜晶体管，是使...

【专利技术属性】
技术研发人员：德地成纪，石井林太郎，附田龙马，久保田高史，高桥广己，
申请(专利权)人：三井金属矿业株式会社，
类型：
国别省市：