本发明的复合活性物质具有活性物质、和配置于该活性物质的表面且含有含硫化合物的表面部。前述活性物质包含含有锂(Li)元素、锰(Mn)元素和氧(O)元素且具有尖晶石型晶体结构的复合氧化物。优选前述活性物质含有镍等M1元素、以及钛和铝等M2元...

本发明的复合活性物质具有活性物质、和配置于该活性物质的表面且含有含硫化合物的表面部。前述含硫化合物包含具有硫银锗矿型晶体结构的晶相。优选前述活性物质含有锂(Li)元素、M元素(M为镍(Ni)元素、钴(Co)元素、锰(Mn)元素和铝(Al...

本发明的硫化锂的制造方法具备如下工序：准备组合物的准备工序，所述组合物在通过使用CuKα1射线的X射线衍射装置测定的X射线衍射谱图中，在2θ＝31.2°±1.0°的位置具有衍射峰A，在2θ＝22.2°±1.0°的位置具有衍射峰B，并且，...

负载氨基化合物的多孔基材具备：至少具有大孔(2)的多孔基材(1)；和，负载在多孔基材(1)的至少一部分孔上的氨基化合物。多孔基材(1)的利用压汞法测定的总孔容相对于每单位体积的多孔基材为0.55mL/mL以上且0.95mL/mL以下。多...

本发明提供一种在固定多层片的一个面而剥离其相反侧的层时能够抑制多层片和支承台之间的泄漏的发生而确保密合力的片固定装置。该片固定装置包括用于支承多层片的支承台和能够经由吸附孔朝向支承台吸引多层片的吸引部件。支承台具有：板状构件，其具有能够...

本发明的硫化锂的制造方法具备在包含硫气体和氢气的气氛中对碳酸锂进行烧成的烧成工序。前述硫气体以硫元素的摩尔数相对于碳酸锂的摩尔数的值成为6.0以上且19.0以下的方式包含于前述气氛中。前述氢气以氢气的摩尔数相对于碳酸锂的摩尔数的值成为8...

本发明的硫化锂在通过使用CuKα1射线的X射线衍射装置测定的X射线衍射谱图中，在2θ＝31.2°±1.0°的位置具有衍射峰A，在2θ＝23.0°±1.0°的位置具有衍射峰B，将前述衍射峰A的强度设为Ia、将前述衍射峰B的强度设为Ib时，...

提供一种不仅能实现良好的电容器特性并且能实现优异的处理性的双面覆铜层叠板。该双面覆铜层叠板为在介电层的双面贴合有铜箔的双面覆铜层叠板，其中，介电层的厚度为0.1μm以上且2.0μm以下，双面覆铜层叠板在介电层与铜箔之间进一步具备与铜箔抵...

本发明的溅射靶为将多个溅射靶材利用接合材料接合于基材而形成的溅射靶，所述溅射靶材由包含铟(In)元素、锌(Zn)元素及添加元素(X)的氧化物制成，添加元素(X)包含选自钽(Ta)及铌(Nb)中的至少1种元素，各元素的原子比满足规定的关系...

本发明的溅射靶材由包含铟(In)元素、锌(Zn)元素及钽(Ta)元素的氧化物制成，各元素的原子比满足式(1)至(3)的全部式子，0.1≤(In+Ta)/(In+Zn+Ta)＜0.4(1)，0.6＜Zn/(In+Zn+Ta)≤0.9(2)...

本发明的目的在于提供一种废气净化用催化剂，其能够防止磷中毒导致的废气净化性能下降，所述废气净化用催化剂(1A)具备基材(10)以及设置于基材(10)的第一催化剂层和第二催化剂层(20，30)，第二催化剂层(30)设置于第一催化剂层(20...

含磷的银被覆铜颗粒在铜母粒的表面的至少一部分具有含有磷(P)元素的银被覆层，IO2/(WAg×WP)×1000的值为1.9以下。IO为85℃且85％RH保存时的经过7天后的氧增加量(质量％)。WAg为含磷的银被覆铜颗粒中所含的银(Ag)...

本发明涉及场效应晶体管，其包括：具有250℃以下的玻璃化转变温度的基材；和在该基材上设置的氧化物半导体层。上述氧化物半导体层由包含铟(In)元素、锌(Zn)元素和添加元素(X)的氧化物来形成。添加元素(X)为选自钽即(Ta)元素、锶(S...

提供用于覆铜层叠板或印刷电路板时，能够实现优异的传输特性的粗糙化处理铜箔。该粗糙化处理铜箔在至少一侧具有粗糙化处理面。粗糙化处理面的依据ISO25178以倍率200倍、无S滤波器、以及L滤波器5μm的条件测定的界面扩展面积比Sdr为70...

一种废气净化催化剂，其具备基材、和设置在该基材上的含有含Si吸附材料的吸附部，所述吸附部具有多个孔隙，在与废气流通方向垂直的截面上，相对于所述基材上存在的所述吸附部的表观面积，该吸附部中满足下式的孔隙的面积的总和的比例大于5％且为30％...

本发明的目的在于提供一种具备壁流型基材和催化剂部的废气净化用催化剂，其能够实现提高PM收集性能和抑制压损上升，该废气净化用催化剂(1)具备沿废气流通方向(E)延伸的基材(10)、以及设于基材(10)的第1催化剂部(20)和第2催化剂部(...

贮氢合金含有Mm、Ni、Mn、Al和Co，且具有CaCu5型晶体结构的母相。Mm中La和Ce的总和所占的比例为95质量％以上。将相对于1摩尔的Mm的Ni、Mn、Al和Co的摩尔数分别设为a、b、c和d时，d为0.00以上且小于0.15，...

本发明的锰氧化物是构成元素表示为A‑Mn‑O的锰氧化物，所述构成元素A是选自H、碱金属、碱土类金属、稀土类元素、Be、Mg、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Re、Fe、Ru、Co、Os、Rh、Ir、Ni、Pd、Pt、C...

提供一种表示与高频特性高度相关的铜箔的表面参数的测定方法。该铜箔的表面参数的测定方法包括以下工序：工序(a)，获得未处理铜箔的至少一个表面的表面轮廓的工序；工序(b)，基于表面轮廓设定L滤波器的截止值的工序；工序(c)，获得源自未处理铜...

提供一种能够简便地获得表示与高频特性高度相关的铜箔的表面参数的测定方法。该方法包括以下工序：工序(a)，获得作为参比的表面处理铜箔的表面轮廓的工序；工序(b)，设定L滤波器的截止值的工序，其中，截止值以如下方式设定：(i)使用L滤波器处...