【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及铜箔的表面参数的测定方法、铜箔的筛选方法以及表面处理铜箔的制造方法。
技术介绍
1、在印刷电路板的制造工序中，铜箔以与绝缘树脂基材贴合的覆铜层叠板的形态被广泛使用。在这一点上，为了防止在印刷电路板制造时发生布线的剥离，期望铜箔与绝缘树脂基材具有高密合力。为此，在通常的印刷电路板制造用铜箔中，对铜箔的贴合面实施粗糙化处理等表面处理以形成由微细的铜颗粒构成的凹凸，并且通过冲压加工将该凹凸咬合进绝缘树脂基材的内部以发挥锚定效果，从而提高密合性。
2、近年来，随着便携式电子设备等的高功能化，为了进行大量信息的高速处理，信号的高频化正在发展，要求适于高频用途的印刷电路板。对于这种高频用印刷电路板，为了能够在不使高频信号质量下降的情况下进行传输，期望降低传输损耗。印刷电路板具有加工成布线图案的铜箔和绝缘基材，作为传输损耗中的主要损耗，可列举出由铜箔引起的导体损耗和由绝缘基材引起的介电损耗。
3、作为高频用印刷电路板中使用的铜箔，例如专利文献1(日本特开2020-50954号公报)中公开了具有包含多个峰、多个凹槽和多个微晶簇的微小粗糙化表面的微小粗糙化电解铜箔，根据该铜箔，可以有效地抑制信号传输中的损耗。另外，专利文献1中还记载了使用激光显微镜在λs＝2.5μm和λc＝0.003mm的条件下测量铜箔的rlr值。
4、然而，已知印刷电路板的高频特性(传输损耗的频率依赖性)与铜箔的表面粗糙度相关，通常越使用低粗度的铜箔，高频特性越有变好的倾向。作为铜箔的表面粗糙度测定方法，例如非专利文献1(柔性印
5、现有技术文献
6、专利文献
7、专利文献1:日本特开2020-50954号公报
8、专利文献2:日本特开平9-241882号公报
9、专利文献3:wo2008/041706a1
10、非专利文献
11、非专利文献1:柔性印刷电路板的高速传输线路试验法指南第1版、一般社团法人日本电子电路协会、2019年6月5日发行
技术实现思路
1、但是，通过以往的铜箔的表面粗糙度测定方法计算出的表面参数与高频特性的相关未必充分。
2、本专利技术人等此番得到了如下见解：基于未处理铜箔的表面轮廓设定l滤波器的截止值，然后使用预先设定了截止值的l滤波器处理源自未处理铜箔的表面处理铜箔的表面轮廓，计算出iso25178所规定的表面参数，由此得到的表面参数表示与高频特性高度相关。
3、因此，本专利技术的目的在于，提供表示与高频特性高度相关的铜箔的表面参数的测定方法。
4、根据本专利技术的一方式，提供一种铜箔的表面参数的测定方法，其包括以下工序：
5、工序(a)，获得未处理铜箔的至少一个表面的表面轮廓的工序；
6、工序(b)，基于所述表面轮廓设定l滤波器的截止值的工序；
7、工序(c)，获得源自所述未处理铜箔的表面处理铜箔的至少一个表面的表面轮廓的工序；
8、工序(d)，对所述表面处理铜箔的表面轮廓进行滤波处理的工序，其中包括使用所述截止值的l滤波器进行处理的步骤；和
9、工序(e)，基于所述滤波处理后的表面轮廓，计算所述表面处理铜箔的所述表面的、iso25178所规定的表面参数中的至少1种的工序。
10、根据本专利技术的一其它方式，提供一种铜箔的筛选方法，其包括以下工序：
11、使用所述方法测定铜箔的表面参数的工序，所述表面参数为选自由iso25178所规定的算术平均高度sa、根均方高度sq、最大高度sz、界面扩展面积比sdr、中心部的实体体积vmc和中心部的水平差sk组成的组中的至少1种；和
12、筛选出具有所述sa为1.2μm以下、所述sq为2.5μm以下、所述sz为14μm以下、所述sdr为60％以下、所述vmc为1.5μm3以下和/或所述sk为4μm以下的表面的铜箔作为适于面向高频用途的印刷电路板的铜箔的工序。
13、根据本专利技术的又一另外方式，提供一种表面处理铜箔的制造方法，其包括以下工序：
14、准备未处理铜箔的工序；
15、对所述未处理铜箔的至少一个表面实施表面处理来制造表面处理铜箔的工序；
16、使用所述方法测定所述表面处理铜箔的表面参数的工序；和
17、仅在所述表面参数满足规定条件的情况下，将所述表面处理铜箔供于出厂或认定为供于出厂的产品的工序，
18、基于所述工序(a)的表面轮廓的获得是针对所述未处理铜箔的至少一个表面进行的，且基于所述工序(c)的表面轮廓的获得是针对所述表面处理铜箔的实施了所述表面处理的表面进行的。
19、根据本专利技术的又一另外方式，提供一种面向高频用途的印刷电路板的制造方法，其包括使用通过所述方法得到的铜箔来制造面向高频用途的印刷电路板的工序。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种铜箔的表面参数的测定方法，其包括以下工序：
2.根据权利要求1所述的铜箔的表面参数的测定方法，其中，在所述工序(d)中，所述滤波处理在不使用S滤波器的情况下进行。
3.根据权利要求1或2所述的铜箔的表面参数的测定方法，其中，在所述工序(b)中，所述L滤波器的截止值以如下方式设定：
4.根据权利要求3所述的铜箔的表面参数的测定方法，其中，所述Sa1为0.3μm以下且所述Sdr的变化率为70％以下。
5.根据权利要求1或2所述的铜箔的表面参数的测定方法，其中，在所述工序(b)中，所述L滤波器的截止值以如下方式设定：
6.根据权利要求5所述的铜箔的表面参数的测定方法，其中，所述Sa1为0.3μm以下且所述α值的变化率为70％以下。
7.一种铜箔的筛选方法，其包括以下工序：
8.一种表面处理铜箔的制造方法，其包括以下工序：
9.根据权利要求8所述的表面处理铜箔的制造方法，其中，所述表面处理铜箔用于面向1GHz以上的高频用途的印刷电路板。
10.一种面向高频用途的印刷电路板的
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种铜箔的表面参数的测定方法，其包括以下工序：
2.根据权利要求1所述的铜箔的表面参数的测定方法，其中，在所述工序(d)中，所述滤波处理在不使用s滤波器的情况下进行。
3.根据权利要求1或2所述的铜箔的表面参数的测定方法，其中，在所述工序(b)中，所述l滤波器的截止值以如下方式设定：
4.根据权利要求3所述的铜箔的表面参数的测定方法，其中，所述sa1为0.3μm以下且所述sdr的变化率为70％以下。
5.根据权利要求1或2所述的铜箔的表面参数的测定方法，其中，在所述工序(b)中，所述l滤波器的...
【专利技术属性】
技术研发人员：栗原宏明，岩瀬健，
申请(专利权)人：三井金属矿业株式会社，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。