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【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种溅射靶材。另外,本专利技术涉及使用了该溅射靶材的氧化物半导体的制造方法。
技术介绍
1、在平板显示器(以下也称作“fpd”)中使用的薄膜晶体管(以下也称作“tft”)的
中,伴随着fpd的高功能化,以in-ga-zn复合氧化物(以下也称作“igzo”)为代表的氧化物半导体取代以往的无定形硅而受到关注,正在推进实用化。igzo具有显示出高场效应迁移率和低泄漏电流的优点。近年来,随着fpd的进一步高功能化的推进,提出了显示出比igzo所显示的场效应迁移率更高的场效应迁移率的材料。
2、例如,在专利文献1及2中,提出了由包含铟(in)元素及锌(zn)元素和任意的元素x的in-zn-x复合氧化物得到的tft用的氧化物半导体。根据上述的文献,该氧化物半导体通过使用了包含in-zn-x复合氧化物的靶材的溅射来形成。
3、另外,作为fpd的一种的柔性显示器能够展开大范围的应用,因而近年来受到关注。作为构成柔性显示器的重要构件之一,可以举出具有柔软性的基材,其中,塑料膜薄、轻量,并且柔软性优异,因此是适合的。但是,塑料膜在耐热性方面存在有问题。为了在基板上形成tft,在成膜后,为改善电特性而要求后退火处理时,在使用塑料膜之类的耐热性低的基板的情况下,需要在低温下进行后退火处理。但是,若对包含igzo的膜在低温下进行后退火处理,则该膜发生低电阻化,难以使之作为半导体发挥作用。
4、现有技术文献
5、专利文献
6、专利文献1:us2013/270109a1
< ...【技术保护点】
1.一种溅射靶材,其由包含铟即In元素、锌即Zn元素及钽即Ta元素的氧化物制成,各元素的原子比满足式(1)至(3)的全部式子,
2.根据权利要求1所述的溅射靶材,其抗折强度为100MPa以上。
3.根据权利要求1或2所述的溅射靶材,其体电阻率在25℃下为100mΩ·cm以下。
4.一种氧化物半导体的制造方法,其是使用了权利要求1或2所述的溅射靶材的氧化物半导体的制造方法,
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种溅射靶材,其由包含铟即in元素、锌即zn元素及钽即ta元素的氧化物制成,各元素的原子比满足式(1)至(3)的全部式子,
2.根据权利要求1所述的溅射靶材,其抗折强度为100mpa以上。<...
【专利技术属性】
技术研发人员:寺村享祐,白仁田亮,德地成纪,
申请(专利权)人:三井金属矿业株式会社,
类型:发明
国别省市:
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