【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及半导体制造领域，特别涉及一种通气面板及薄膜沉积腔体。
技术介绍
1、沉积工艺是半导体制造工艺中常见的成膜工艺。沉积工艺主要包括化学气相沉积(cvd，chemical vapor deposition)、物理气相沉积(pvd，physical vapor deposition)以及原子层沉积工艺(ald，atomic layer deposition)。以化学气相沉积为例，化学气相沉积是反应物质在气态条件下发生化学反应，生成固态物质沉积在晶圆表面，制得目标薄膜的工艺技术。该工艺技术通过薄膜沉积腔体得以实现。
2、在晶圆表面沉积薄膜时，由于反应气体在整个腔室内流动，也会在薄膜沉积腔体的侧壁和通气面板的出气面上沉积薄膜，因而在晶圆表面制得目标薄膜后，还需要向腔室内提供清洁气体以刻蚀腔室侧壁以及出气面的薄膜。然而，目前通气面板的出气面上薄膜刻蚀存在问题，使薄膜沉积腔体在晶圆上制备目标薄膜的可靠性较低。
技术实现思路
1、本公开实施例提供一种通气面板及薄膜沉积腔体，至少可...
【技术保护点】
1.一种通气面板，用于向薄膜沉积腔体的腔室提供气体，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的通气面板，其特征在于，所述中心区包括：核心区，以及绕所述核心区外围沿远离所述核心区方向依次分布的多个过渡区；
3.根据权利要求2所述的通气面板，其特征在于，所述加热机构包括：
4.根据权利要求3所述的通气面板，其特征在于，与所述过渡区相对应的所述加热单元为封闭环状结构；与所述边缘区相对应的所述加热单元为封闭环状结构；与所述核心区相对应的所述加热单元为圆形结构。
5.根据权利要求3所述的通气面板，其特征在于，所述加热单元包括加热
6...
【技术特征摘要】
1.一种通气面板，用于向薄膜沉积腔体的腔室提供气体，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的通气面板，其特征在于，所述中心区包括：核心区，以及绕所述核心区外围沿远离所述核心区方向依次分布的多个过渡区；
3.根据权利要求2所述的通气面板，其特征在于，所述加热机构包括：
4.根据权利要求3所述的通气面板，其特征在于，与所述过渡区相对应的所述加热单元为封闭环状结构；与所述边缘区相对应的所述加热单元为封闭环状结构；与所述核心区相对应的所述加热单元为圆形结构。
5.根据权利要求3所述的通气面板，其特征在于，所述加热单元包括加热丝。
【专利技术属性】
技术研发人员：李继刚，周纬，朱顺利，张俊，
申请(专利权)人：江苏首芯半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。