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本申请公开了一种半导体结构及测试系统。该半导体结构包括：衬底；掺杂层，形成于所述衬底的第一表面；以及多个沟槽，每个所述沟槽贯穿所述掺杂层并延伸至所述衬底内，其中，所述多个沟槽包括至少一个第一沟槽和至少一个第二沟槽，每个所述第二沟槽用于形成相...
该专利属于北京燕东微电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京燕东微电子科技有限公司授权不得商用。

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