【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法
本专利技术涉及一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
随着半导体制作工艺的线宽的不断缩小，半导体结构包括例如晶体管或存储阵列等等的尺寸不断朝向微型化发展。然而，临界尺寸愈小，制作工艺必须愈精准，否则一个步骤的制作工艺偏移或副效应(sideeffect)便会使得形成的半导体装置效能不佳。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种半导体结构及其形成方法，以解决上述问题。为达上述目的，本专利技术提出一种半导体结构。半导体结构包括基底、栅结构、及导电元件。栅结构在基底上。栅结构包括栅电极与盖层。盖层在该栅电极上。导电元件邻接栅结构的外侧表面。导电元件包括下导电部及上导电部。上导电部电连接在下导电部上，并邻接盖层。下导电部与上导电部之间具有一界面。界面低于盖层的一上表面。本专利技术还提出一种半导体结构的形成方法，其包括以下步骤。进行一蚀刻步骤移除栅电极外侧的基底上的第一材料层以形成第一开口。在该蚀刻步骤中，在栅电极上方的盖层是用作蚀刻停止层。在第一开口中形成下导电部。形成第二材料层在下导电部上。进行一另一蚀刻步骤移除第二材料层以形成露出下导电部的一第二...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底；栅结构，在该基底上，该栅结构包括栅电极与盖层，该盖层在该栅电极上；及导电元件，邻接该栅结构的一外侧表面，该导电元件包括：下导电部；及上导电部，电连接在该下导电部上，并邻接该盖层，该下导电部与该上导电部之间具有一界面，该界面低于该盖层的一上表面。
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底；栅结构，在该基底上，该栅结构包括栅电极与盖层，该盖层在该栅电极上；及导电元件，邻接该栅结构的一外侧表面，该导电元件包括：下导电部；及上导电部，电连接在该下导电部上，并邻接该盖层，该下导电部与该上导电部之间具有一界面，该界面低于该盖层的一上表面。2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该下导电部与该上导电部分别包括不同的导电材料。3.如权利要求1所述的半导体结构，其中该下导电部与该上导电部之间的该界面为一横向的共平面。4.如权利要求1所述的半导体结构，其中该上导电部邻接该盖层的该上表面。5.如权利要求1所述的半导体结构，其中在一横方向上，该上导电部的尺寸是大于该下导电部的尺寸。6.如权利要求1所述的半导体结构，其中该盖层包括相邻的第一上表面与第二上表面，该第一上表面低于该第二上表面，其中该上导电层邻接该第一上表面，但未邻接该第二上表面。7.如权利要求1所述的半导体结构，还包括绝缘层，其中该盖层具有不同的第一侧表面与第二侧表面，该上导电部在该第一侧表面上，该绝缘层在该第二侧表面上，该绝缘层不存在于该上导电部与该盖层之间。8.如权利要求7所述的半导体结构，其中该盖层的该第一侧表面与该第二侧表面是彼此相对。9.如权利要求7所述的半导体结构，还包括另一下导电部，在该栅结构相对于该外侧表面的另一外侧表面，其中该绝缘层在该另一下导电部上，该绝缘层与该另一下导电部之间具有一界面低于该盖层的该上表面。10.如权利要求1所述的半导体结构，其中该半导体结构包括晶体管，该晶体管包括该栅结构与源/漏极，其中该导电元件电连接该源/漏极。...
【专利技术属性】
技术研发人员：许智凯，傅思逸，邱淳雅，吴骐廷，陈金宏，林毓翔，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71
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