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半导体结构及其形成方法技术
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文档序号:22188832
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本发明公开一种半导体结构及其形成方法。半导体结构包括基底、栅结构、及导电元件。栅结构在基底上。栅结构包括栅电极与盖层。盖层在该栅电极上。导电元件邻接栅结构的外侧表面。导电元件包括下导电部及上导电部。上导电部电连接在下导电部上,并邻接盖层。下...
该专利属于联华电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过联华电子股份有限公司授权不得商用。
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